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公开(公告)号：CN108039420B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201711274870.8
申请日：2017-12-06
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种衬底及其制备方法、有机发光二极管显示器件，该衬底包括：金属箔，所述金属箔所采用的金属材料可进行阳极氧化，所述金属箔表面形成有多个凹陷陷光微结构，该衬底可以减小由于衬底的全反射导致的衬底模态损失，提高采用该衬底的发光器件的出光效率，提高光利用率。
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公开(公告)号：CN107799605B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201711025701.0
申请日：2017-10-27
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/479 , H01L21/477 , H01L21/385 , H01L21/34
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，采用本发明提供的制备方法可以降低形成的薄膜晶体管中有源层内的杂质离子含量，提高薄膜晶体管的性能。该制备方法包括：在衬底基板上方形成栅极、栅绝缘层和有源层的步骤；其中，所述栅极与所述有源层分别形成于所述栅绝缘层的上下两侧；所述有源层中含有杂质离子；所述制备方法还包括：对所述有源层进行退火处理的同时，在所述有源层与所述栅极之间施加电压形成电场，所述电场的方向使所述杂质离子从所述有源层中移动至所述栅绝缘层中。
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公开(公告)号：CN109426070A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710743674.4
申请日：2017-08-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
摘要： 一种光刻胶组合物及其制备方法、金属图案的制备方法以及阵列基板的制备方法，该光刻胶组合物包括基底材料以及离子吸附剂，其中，所述离子吸附剂为螯合树脂。在采用该光刻胶组合物形成的光刻胶图案作为掩膜板对金属薄膜进行刻蚀的过程中，光刻胶图案中的离子吸附剂可以吸附刻蚀过程中产生的金属离子，从而使刻蚀液中金属离子的浓度维持在稳定的水平，以达到稳定的刻蚀速率，进而提高刻蚀稳定性与均一性，提高产品的质量，此外，还能延长刻蚀液的使用寿命，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN108615694A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810031884.5
申请日：2018-01-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/6708
摘要： 本申请提供湿刻设备，包括：喷头，用于向基板喷淋刻蚀液；支撑面，用于承载基板；电极，设置在喷头的远离支撑面的一侧，包括第一电极和第二电极，其中，第一电极对应基板的边缘区域，第二电极对应基板的非边缘区域；输入单元，分别与第一电极和第二电极电连接，用于向第一电极输入第一电压，向第二电极输入第二电压。根据本申请的实施例，可以使得刻蚀液对基板边缘区域的金属刻蚀的速率大于对非边缘区域的金属刻蚀的速率，从而保证对基板边缘区域的刻蚀程度大于对基板非边缘区域的刻蚀程度，也即在完成对基板非边缘区域的刻蚀时，可以保证在基板的边缘区域不存在残留金属，保证对基板刻蚀程度的均一性，进而保证基板对应显示面板的显示效果。
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公开(公告)号：CN108198824A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810045488.8
申请日：2018-01-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
摘要： 本发明涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板的制备方法及阵列基板，该阵列基板的制备方法中，包括：在基板上依次制备栅极层、绝缘层、有源层；在有源层上制备第一金属层；在第一金属层上沉积第二金属层，并形成第二金属层的图形，其中，第二金属层中与沟道对应的部位去除，以露出第一金属层；对第一金属层中与沟道对应的部位进行氧化处理，以形成黑色氧化绝缘层；剥离光刻胶。上述阵列基板的制备方法中，通过在有源层上形成第一金属层和第二金属层，并对第一金属层进行氧化处理，使得第一金属层氧化产生第一金属层的金属氧化物，形成黑色氧化绝缘层，对有源层起到遮光的作用，改善了光照稳定性，提高了显示器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN107845687A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711021725.9
申请日：2017-10-27
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/16
CPC分类号： H01L29/786 , H01L29/1606 , H01L29/66742
摘要： 本发明涉及薄膜晶体管及其制备方法、电子设备，该薄膜晶体管包括衬底及设置在衬底上的有源层，所述有源层由至少两层类石墨烯二维半导体材料制作而成。根据本发明的实施例的薄膜晶体管具有较高的电子迁移率，该TFT具有良好的电学性能。
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公开(公告)号：CN107785308A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201711023111.4
申请日：2017-10-27
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1288
摘要： 本发明提供一种阵列基板的制备方法和阵列基板，所述阵列基板的制备方法包括：先利用第一掩膜图形通过刻蚀工艺对金属薄膜进行第一次刻蚀，再利用第二掩膜图形通过刻蚀工艺对金属薄膜进行第二次刻蚀，以形成金属图形，且第二掩膜图形的宽度小于第一掩膜图形的宽度。本发明提供阵列基板的制备方法可以减小掩膜图形对刻蚀液的遮挡作用，从而可以减小金属图形的坡度角，在后续阵列基板的制作过程中可以提高沉积在金属图形的边缘位置上的绝缘层的厚度，进而避免金属图形的边缘位置发生静电击穿，提高阵列基板的良率，而且，上述阵列基板的制备方法工艺简单、成本较低、制备时间较短。
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公开(公告)号：CN107779836A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201711299250.X
申请日：2017-12-08
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供一种磁控溅射装置及其磁场分布调节方法，涉及磁控溅射领域，可有效改善平面靶材斑纹不良、提高靶材利用率和成膜均匀性。该磁控溅射装置包括：溅射腔室和设置在所述溅射腔室内的平面靶材；设置在所述平面靶材远离被溅射一侧的至少三组电磁线圈，每组所述电磁线圈的一端朝向所述平面靶材、另一端远离所述平面靶材；驱动单元，配置成控制每组所述电磁线圈的开关和磁性方向；与每组所述电磁线圈一一对应的连接线，配置成电性连接每组所述电磁线圈与所述驱动单元。
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公开(公告)号：CN107507807A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710749283.3
申请日：2017-08-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种基板及其制备方法、显示面板。基板的制备方法包括：依次形成第一绝缘层和第二绝缘层后，通过一次构图工艺形成贯穿所述第二绝缘层的过渡孔；通过另一次构图工艺形成贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的连接孔。本发明实施例通过两次构图工艺分别刻蚀形成最终的连接孔，缩短了每次刻蚀的时间，避免了由于长时间刻蚀引起光刻胶的固化和变形，从而避免了光刻胶残留导致的显示不良，同时缩小了连接孔的坡度角，有利于导电导线之间的连接，改善了断线不良等问题。本发明实施例还提供了一种采用上述制备方法制成的基板以及包括该基板的显示面板。
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公开(公告)号：CN105576038A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610019045.2
申请日：2016-01-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/34
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L21/0273 , H01L21/467 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78609 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L29/0684
摘要： 本发明涉及一种薄膜晶体管，包括：栅极；栅绝缘层，设置在栅极之上；第一有源层，设置在栅绝缘层之上；第二有源层，设置在第一有源层之上，长度小于第一有源层的长度；源极，设置在第一有源层之上，且与第二有源层的第一侧面相接触；漏极，设置在第一有源层之上，且与第二有源层的第二侧面相接触。通过本发明的技术方案，在有源层导通时，与导电底面相连的两个侧壁为第一有源层的两个侧壁，而在整个有源层的厚度与现有技术中有源层的厚度相同时，第一有源层的厚度小于现有技术中有源层的厚度，也即第一有源层的两个侧壁高度小于现有技术中有源层的两个侧壁的高度，因此相对于现有技术中有源层两个侧壁的电阻更小，从而提高了开态电流。
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