发明公开
CN107546091A 半导体器件的制造方法
无效 - 撤回
- 专利标题: 半导体器件的制造方法
- 专利标题(英): MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
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申请号: CN201710412838.5申请日: 2017-06-05
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公开(公告)号: CN107546091A公开(公告)日: 2018-01-05
- 发明人: 堀越孝太郎
- 申请人: 瑞萨电子株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 李辉; 董典红
- 优先权: 2016-127211 2016.06.28 JP
- 主分类号: H01J37/02
- IPC分类号: H01J37/02 ; H01J37/32
摘要:
一种半导体器件的制造方法,包括以下步骤:(a)将半导体晶片放置在设置于室中的载台之上,所述室内部的压力通过真空抽取而减小;和(b)在步骤(a)之后,在半导体晶片被所述载台吸附且保持的状态下在所述室中形成等离子体,从而对所述半导体晶片执行期望的处理。这里,在步骤(a)之前,将具有高于氮气的电负性的负气体、氧气O2引入所述真空容器中以在所述室中形成O2等离子体,由此允许消除保留在所述载台之上的电荷。