公开了用于定制基于鳍的晶体管装置以提供范围广泛的沟道配置和/或材料系统，并且在相同集成电路管芯内的技术。根据一实施例，包覆并且随后去除牺牲鳍，由此留下包覆层作为一对独立的鳍。一旦牺牲鳍区域被适合的绝缘体回填，得到的结构便是绝缘体上鳍。通过使用此类核上包覆方案，新鳍能够以任何材料配置。得到的绝缘体上鳍例如在消除或以其它方式降低子沟道源极到漏极（或漏极到源极）泄露电流的同时对良好的栅极控制是有利的。另外，大幅降低了来自沟道到衬底的寄生电容。牺牲鳍能够被视为是核，并且能够例如使用原生于衬底的材料或允许低缺陷异类包覆材料组合的替换材料来实现。