发明公开
- 专利标题: 一种Fe掺杂BiCuSeO热电材料及其制备方法
- 专利标题(英): Fe-doped BiCuSeO thermoelectric material and preparation method thereof
-
申请号: CN201710930222.7申请日: 2017-10-09
-
公开(公告)号: CN107644933A公开(公告)日: 2018-01-30
- 发明人: 樊希安 , 冯波 , 江程鹏 , 李光强 , 贺铸 , 李亚伟
- 申请人: 武汉科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市青山区和平大道947号
- 专利权人: 武汉科技大学
- 当前专利权人: 武汉科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市青山区和平大道947号
- 代理机构: 武汉科皓知识产权代理事务所
- 代理商 张火春
- 主分类号: H01L35/16
- IPC分类号: H01L35/16 ; H01L35/34
摘要:
本发明涉及一种Fe掺杂BiCuSeO热电材料及其制备方法。其技术方案是:按照氧化铋粉∶铜粉∶硒粉∶铋粉∶铁粉的物质的量之比为1∶3∶3∶(1-3y)∶3y配料,0.01≤3y=x≤0.08,混匀,装入球磨罐中,在惰性气氛条件下球磨,制得单相FexBi1-xCuSeO粉末,0.01≤x≤0.08。将所述单相FexBi1-xCuSeO粉末装入模具,置于等离子体活化烧结炉内,同时匀速升温至500~700℃和匀速升压至30~100MPa,同时保温和保压,再同时匀速降温至常温和匀速降压至常压。取出烧结后的模具,脱模,即得Fe掺杂BiCuSeO热电材料。本发明工艺简单、生产周期短和生产效率高,所制备的制品纯度高、热导率低、电导率高、电传输性能好、功率因子高和无量纲热电优值ZT高。
IPC分类: