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公开(公告)号：CN107994115B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201711310956.1
申请日：2017-12-11
申请人： 武汉科技大学
摘要： 本发明涉及一种Pb/Ba双掺杂BiCuSeO热电材料及其制备方法。其技术方案是：按照氧化铋粉∶铜粉∶硒粉∶铋粉∶铅粉∶氧化钡粉的物质的量之比为(1‑x)∶3∶3∶(1‑4x)∶3x∶3x配料，混匀，于球磨罐和惰性气氛条件下球磨5～12h；再将球磨制得的PbxBaxBi1‑2xCuSeO粉末装入模具，置于等离子体活化烧结炉内，同时匀速升温至500～700℃和匀速升压至30～100MPa，保温和保压，再同时匀速降至常温和匀速降至常压。取出烧结后的模具，脱模，即得Pb/Ba双掺杂BiCuSeO热电材料；其中：0.01≤x≤0.08。本发明工艺简单、生产周期短和生产效率高，所制备制品纯度高、热导率低、电导率高、电传输性能好、功率因子高和无量纲热电优值ZT高。
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公开(公告)号：CN107507909A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710671916.3
申请日：2017-08-08
申请人： 武汉科技大学
摘要： 本发明涉及一种多孔的P型Bi2Te3基热电材料及其制备方法。其技术方案是：先按Bi︰Sb︰Te的物质的量之比为x︰(2-x)︰3配料，0.30≤x≤0.60，即得配料A；再称取配料A的0.01～4.00wt％的Te，即得配料B；将配料A和配料B混合，装入石英玻璃管或高硼硅玻璃管内，真空封装，置于加热炉于600～800℃熔炼，粉碎，筛分，得到P型Bi2Te3基粉末。称取质量为m的P型Bi2Te3基粉末装入石墨模具中，置于等离子体活化烧结炉内同时等速升温至390～510℃和加压至20～100MPa，保温保压3～20min，随炉冷却，取出模具，脱模，即得多孔的P型Bi2Te3基热电材料。本发明工艺简单、成本低和效率高，制得多孔的P型Bi2Te3基热电材料致密度低、ZT值高和服役时间长。
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公开(公告)号：CN107394035A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710547904.X
申请日：2017-07-06
申请人： 武汉科技大学
摘要： 本发明涉及一种Sb掺杂BiCuSeO热电材料及其制备方法。其技术方案是：按照氧化铋粉∶铜粉∶硒粒∶铋粉∶锑粒的物质的量之比为1∶3∶3∶(1-3y)∶3y配料，0.005≤3y＝x≤0.12，混匀，装入球磨罐中，在惰性气氛条件下球磨，制得单相SbxBi1-xCuSeO粉末，0.005≤x≤0.12。将所述单相SbxBi1-xCuSeO粉末装入模具，置于等离子体活化烧结炉内，同时匀速升温至500～700℃和匀速升压30～100MPa，保温保压，再同时匀速降温至常温和匀速降至常压。取出烧结后的模具，脱模，即得Sb掺杂BiCuSeO热电材料。本发明具有工艺简单、生产周期短和生产效率高的特点，所制制品纯度高、致密度较高、热导率较低、功率因子较高和无量纲热电优值较高。
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公开(公告)号：CN107644933A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710930222.7
申请日：2017-10-09
申请人： 武汉科技大学
摘要： 本发明涉及一种Fe掺杂BiCuSeO热电材料及其制备方法。其技术方案是：按照氧化铋粉∶铜粉∶硒粉∶铋粉∶铁粉的物质的量之比为1∶3∶3∶(1-3y)∶3y配料，0.01≤3y＝x≤0.08，混匀，装入球磨罐中，在惰性气氛条件下球磨，制得单相FexBi1-xCuSeO粉末，0.01≤x≤0.08。将所述单相FexBi1-xCuSeO粉末装入模具，置于等离子体活化烧结炉内，同时匀速升温至500～700℃和匀速升压至30～100MPa，同时保温和保压，再同时匀速降温至常温和匀速降压至常压。取出烧结后的模具，脱模，即得Fe掺杂BiCuSeO热电材料。本发明工艺简单、生产周期短和生产效率高，所制备的制品纯度高、热导率低、电导率高、电传输性能好、功率因子高和无量纲热电优值ZT高。
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公开(公告)号：CN105486925B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201510992513.X
申请日：2015-12-24
申请人： 武汉科技大学
摘要： 本发明涉及一种测量电阻率和塞贝克系数的装置及其使用方法。其技术方案是：所述装置由升降系统、水平移动系统和测量系统组成。热端电极(12)和冷端电极(24)分别固定在水平杆(9)的一端，水平杆(9)的另一端通过螺母式滑块(8)与竖直丝杆(7)连接；测量时，夹持电极(13)通过两个运动方向相互垂直的滑块将待测试样(36)水平移动至热端可伸缩式电位探针(29)和冷端可伸缩式电位探针(30)的正下方。通过高精度数字电压表(34)、高精度数字电流表(38)、第一温度表(35)和第二温度表(37)读取不同待测区域的电压、电流和温度，计算得到相应的电阻率和塞贝克系数。本发明能实现对长方体试样和圆柱体试样在不同的区域的电阻率和塞贝克系数的直接测量，测量精度高。
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公开(公告)号：CN107507909B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201710671916.3
申请日：2017-08-08
申请人： 武汉科技大学
摘要： 本发明涉及一种多孔的P型Bi2Te3基热电材料及其制备方法。其技术方案是：先按Bi︰Sb︰Te的物质的量之比为x︰(2‑x)︰3配料，0.30≤x≤0.60，即得配料A；再称取配料A的0.01～4.00wt％的Te，即得配料B；将配料A和配料B混合，装入石英玻璃管或高硼硅玻璃管内，真空封装，置于加热炉于600～800℃熔炼，粉碎，筛分，得到P型Bi2Te3基粉末。称取质量为m的P型Bi2Te3基粉末装入石墨模具中，置于等离子体活化烧结炉内同时等速升温至390～510℃和加压至20～100MPa，保温保压3～20min，随炉冷却，取出模具，脱模，即得多孔的P型Bi2Te3基热电材料。本发明工艺简单、成本低和效率高，制得多孔的P型Bi2Te3基热电材料致密度低、ZT值高和服役时间长。
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公开(公告)号：CN107994115A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711310956.1
申请日：2017-12-11
申请人： 武汉科技大学
摘要： 本发明涉及一种Pb/Ba双掺杂BiCuSeO热电材料及其制备方法。其技术方案是：按照氧化铋粉∶铜粉∶硒粉∶铋粉∶铅粉∶氧化钡粉的物质的量之比为(1-x)∶3∶3∶(1-4x)∶3x∶3x配料，混匀，于球磨罐和惰性气氛条件下球磨5～12h；再将球磨制得的PbxBaxBi1-2xCuSeO粉末装入模具，置于等离子体活化烧结炉内，同时匀速升温至500～700℃和匀速升压至30～100MPa，保温和保压，再同时匀速降至常温和匀速降至常压。取出烧结后的模具，脱模，即得Pb/Ba双掺杂BiCuSeO热电材料；其中：0.01≤x≤0.08。本发明工艺简单、生产周期短和生产效率高，所制备制品纯度高、热导率低、电导率高、电传输性能好、功率因子高和无量纲热电优值ZT高。
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公开(公告)号：CN105486925A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510992513.X
申请日：2015-12-24
申请人： 武汉科技大学
摘要： 本发明涉及一种测量电阻率和塞贝克系数的装置及其使用方法。其技术方案是：所述装置由升降系统、水平移动系统和测量系统组成。热端电极(12)和冷端电极(24)分别固定在水平杆(9)的一端，水平杆(9)的另一端通过螺母式滑块(8)与竖直丝杆(7)连接；测量时，夹持电极(13)通过两个运动方向相互垂直的滑块将测试样(36)水平移动至热端可伸缩式电位探针(29)和冷端可伸缩式电位探针(30)的正下方。通过高精度数字电压表(34)、高精度数字电流表(38)、第一温度表(35)和第二温度表(37)读取不同待测区域的电压、电流和温度，计算得到相应的电阻率和塞贝克系数。本发明能实现对长方体试样和圆柱体试样在不同的区域的电阻率和塞贝克系数的直接测量，测量精度高。
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公开(公告)号：CN205229306U
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201521100404.4
申请日：2015-12-24
申请人： 武汉科技大学
摘要： 本实用新型涉及一种半导体材料电阻率和塞贝克系数的测量装置。其技术方案是：所述测量装置由升降系统、水平移动系统和测量系统组成。热端电极(12)和冷端电极(24)分别固定在水平杆(9)的一端，水平杆(9)的另一端通过螺母式滑块(8)与竖直丝杆(7)连接；夹持电极(13)通过两个运动方向相互垂直的滑块将测试样(36)水平移动至热端可伸缩式电位探针(29)和冷端可伸缩式电位探针(30)的正下方。两块夹持电极(13)与直流脉冲电源(33)的两个输出端对应连接；热端可伸缩式电位探针(29)和冷端可伸缩式电位探针(30)与高精度数字电压表(34)的正极和负极对应连接。本实用新型能实现对长方体试样和圆柱体试样在不同区域的电阻率和塞贝克系数的直接测量，测量精度高。
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