发明公开
- 专利标题: 垂直型存储器件
- 专利标题(英): VERTICAL-TYPE MEMORY DEVICE
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申请号: CN201710541567.3申请日: 2017-07-05
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公开(公告)号: CN107689392A公开(公告)日: 2018-02-13
- 发明人: 南泌旭 , 金成吉 , 崔至薰 , S.金 , 安宰永 , 金泓奭
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 屈玉华
- 优先权: 10-2016-0100125 2016.08.05 KR
- 主分类号: H01L29/10
- IPC分类号: H01L29/10 ; H01L29/423 ; H01L29/792
摘要:
一种垂直型存储器件可以包括:在衬底上垂直地延伸的沟道层;在衬底上在沟道层的一侧的地选择晶体管,地选择晶体管包括第一栅绝缘部分和第一替代栅电极;在第一替代栅电极上的蚀刻控制层;以及在蚀刻控制层上的存储单元,存储单元包括第二栅绝缘部分和第二替代栅电极。蚀刻控制层可以包括用碳、N型杂质或P型杂质掺杂的多晶硅层,或者可以包括包含碳、N型杂质或P型杂质的多晶硅氧化物层。第一替代栅电极的厚度可以与第二替代栅电极的厚度相同,或者第一替代栅电极可以比第二替代栅电极更厚。
公开/授权文献
- CN107689392B 垂直型存储器件 公开/授权日:2021-01-12