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公开(公告)号：CN109101873B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201810641836.8
申请日：2018-06-21
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G06V10/141 , H04N23/611 , G06V40/16
摘要： 提供了基于外部光源的特性信息引导图像捕获的电子设备和方法。电子设备包括照相机、显示器和处理器。处理器被配置为：使用照相机获得图像；识别包括在图像中的面部；确定针对所识别的面部的第一区域的第一亮度值和针对所识别的面部的第二区域的第二亮度值；基于第一亮度值和第二亮度值，确定针对所识别的面部的外部光源的特性信息；并且通过显示器提供与针对所识别的面部的外部光源的特性信息相对应的引导信息。
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公开(公告)号：CN109101873A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810641836.8
申请日：2018-06-21
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H04N5/23293 , A45D44/005 , A61B5/0059 , A61B5/445 , G02B27/024 , G06K9/00281 , G09G3/3406 , G16H30/20 , G16H40/63 , H04N5/23222 , H04N5/2351 , G06K9/00228 , H04N5/23219
摘要： 提供了基于外部光源的特性信息引导图像捕获的电子设备和方法。电子设备包括照相机、显示器和处理器。处理器被配置为：使用照相机获得图像；识别包括在图像中的面部；确定针对所识别的面部的第一区域的第一亮度值和针对所识别的面部的第二区域的第二亮度值；基于第一亮度值和第二亮度值，确定针对所识别的面部的外部光源的特性信息；并且通过显示器提供与针对所识别的面部的外部光源的特性信息相对应的引导信息。
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公开(公告)号：CN113227661B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201980085626.8
申请日：2019-12-24
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： F24F8/10 , F24F8/80 , F24F11/30 , B01D53/04 , B01D46/10 , B01D39/14 , F24F110/70 , F24F130/10
摘要： 一种空气净化设备，包括：用于改变其位置的驱动部分；风扇；用于吸收空气中的二氧化碳的二氧化碳吸收过滤器；用于去除被吸收到二氧化碳吸收过滤器中的二氧化碳的过滤器再生部分以及处理器，该处理器被配置为控制驱动部分，使得空调设备移动到能够支持通风的区域，并且驱动过滤器再生部分以在能够支持通风的区域中去除被吸收到二氧化碳吸收过滤器中的二氧化碳。
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公开(公告)号：CN106257394A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201610423816.4
申请日：2016-06-15
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G06F3/0481 , G02B27/01
摘要： 一种用于头戴显示器(HMD)的用户界面(UI)的方法和装置。该方法包括产生三维内容。该方法还包括识别与该三维内容相关联的该UI的UI元素的三维坐标。在该UI的角范围内识别所述三维坐标。另外，该方法包括在识别的三维坐标处显示所述UI元素。
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公开(公告)号：CN113227661A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980085626.8
申请日：2019-12-24
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： F24F8/10 , F24F8/80 , F24F11/30 , B01D53/04 , B01D46/00 , B01D39/14 , F24F110/70 , F24F130/10
摘要： 一种空气净化设备，包括：用于改变其位置的驱动部分；风扇；用于吸收空气中的二氧化碳的二氧化碳吸收过滤器；用于去除被吸收到二氧化碳吸收过滤器中的二氧化碳的过滤器再生部分以及处理器，该处理器被配置为控制驱动部分，使得空调设备移动到能够支持通风的区域，并且驱动过滤器再生部分以在能够支持通风的区域中去除被吸收到二氧化碳吸收过滤器中的二氧化碳。
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公开(公告)号：CN106257394B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201610423816.4
申请日：2016-06-15
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G06F3/0481 , G02B27/01
摘要： 一种用于头戴显示器(HMD)的用户界面(UI)的方法和装置。该方法包括产生三维内容。该方法还包括识别与该三维内容相关联的该UI的UI元素的三维坐标。在该UI的角范围内识别所述三维坐标。另外，该方法包括在识别的三维坐标处显示所述UI元素。
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公开(公告)号：CN107689392B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201710541567.3
申请日：2017-07-05
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/792
摘要： 一种垂直型存储器件可以包括：在衬底上垂直地延伸的沟道层；在衬底上在沟道层的一侧的地选择晶体管，地选择晶体管包括第一栅绝缘部分和第一替代栅电极；在第一替代栅电极上的蚀刻控制层；以及在蚀刻控制层上的存储单元，存储单元包括第二栅绝缘部分和第二替代栅电极。蚀刻控制层可以包括用碳、N型杂质或P型杂质掺杂的多晶硅层，或者可以包括包含碳、N型杂质或P型杂质的多晶硅氧化物层。第一替代栅电极的厚度可以与第二替代栅电极的厚度相同，或者第一替代栅电极可以比第二替代栅电极更厚。
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公开(公告)号：CN107689392A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710541567.3
申请日：2017-07-05
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/792
CPC分类号： H01L27/11582 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L29/7827 , H01L29/7926 , H01L29/1037 , H01L29/42356
摘要： 一种垂直型存储器件可以包括：在衬底上垂直地延伸的沟道层；在衬底上在沟道层的一侧的地选择晶体管，地选择晶体管包括第一栅绝缘部分和第一替代栅电极；在第一替代栅电极上的蚀刻控制层；以及在蚀刻控制层上的存储单元，存储单元包括第二栅绝缘部分和第二替代栅电极。蚀刻控制层可以包括用碳、N型杂质或P型杂质掺杂的多晶硅层，或者可以包括包含碳、N型杂质或P型杂质的多晶硅氧化物层。第一替代栅电极的厚度可以与第二替代栅电极的厚度相同，或者第一替代栅电极可以比第二替代栅电极更厚。
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