Invention Grant
- Patent Title: 一种LED芯片及其制作方法
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Application No.: CN201710719615.3Application Date: 2017-08-21
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Publication No.: CN107689407BPublication Date: 2019-09-06
- Inventor: 刘英策 , 刘兆 , 宋彬 , 李俊贤 , 吴奇隆
- Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
- Applicant Address: 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号
- Assignee: 厦门乾照光电股份有限公司
- Current Assignee: 厦门乾照光电股份有限公司
- Current Assignee Address: 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 王宝筠
- Main IPC: H01L33/20
- IPC: H01L33/20 ; H01L33/24 ; H01L33/36
Abstract:
本发明公开了一种LED芯片及其制作方法,该LED芯片包括:衬底;设置在衬底上的外延结构;其中,外延结构分为多个LED原胞;外延结构的四周侧壁具有侧壁沟槽,侧壁沟槽用于降低光线在所述LED原胞内的全发射;相邻两个LED原胞之间具有原胞沟槽,通过原胞沟槽的底部露出衬底,所述原胞沟槽降低光线在所述LED原胞内的全反射以及漏电流;设置在原胞沟槽内的绝缘层;覆盖绝缘层的连接电极,连接电极电连接相邻的两个LED原胞。本发明技术方案中,通过侧壁沟槽降低光线在所述LED原胞内的全发射,通过原胞沟槽降低光线在所述LED原胞内的全反射以及漏电流,可以提高发光效率、降低漏电率以及提高外量子效率。
Public/Granted literature
- CN107689407A 一种LED芯片及其制作方法 Public/Granted day:2018-02-13
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IPC分类: