- 专利标题： 一种基于β型碲化硅材料的热电转换元件及其制备方法
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申请号： CN201710956939.9申请日： 2017-10-16
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公开(公告)号： CN107706297B公开(公告)日： 2018-09-25
- 发明人: 王庶民 , 梁丹 , 张丽
- 申请人： 超晶科技(北京)有限公司
- 申请人地址： 北京市海淀区学院路30号方兴大厦906室
- 专利权人： 超晶科技(北京)有限公司
- 当前专利权人： 宁波超晶光电科技有限公司
- 当前专利权人地址： 315000 浙江省宁波市余姚市三七市镇云山中路28号（自主申报）
- 代理机构： 北京汇信合知识产权代理有限公司
- 代理商 戴凤仪
- 主分类号： H01L35/16
- IPC分类号： H01L35/16 ; H01L35/22 ; H01L35/34
摘要：
本发明涉及热电转换元件领域，提供了一种基于β型碲化硅材料的热电转换元件及其制备方法，所述热电转换元件由P型半导体和N型半导体组成，其中所述P型半导体和所述N型半导体以串联方式电连接并以并联方式热连接，所述P型半导体包含β型碲化硅材料。本发明所提供的热电转换元件具有高塞贝克系数，高电导率及低热导率低。因此本发明所提供的热电转换元件具有较高的热电转换效率。
公开/授权文献
- CN107706297A 一种基于β型碲化硅材料的热电转换元件及其制备方法 公开/授权日：2018-02-16
IPC分类:
