- 专利标题: 高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统
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申请号: CN201711226073.2申请日: 2017-11-29
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公开(公告)号: CN107734826B公开(公告)日: 2024-07-23
- 发明人: 原青云 , 张希军 , 陈龙威 , 孙永卫 , 代银松 , 任兆杏
- 申请人: 中国人民解放军陆军工程大学
- 申请人地址: 河北省石家庄市和平西路97号
- 专利权人: 中国人民解放军陆军工程大学
- 当前专利权人: 中国人民解放军陆军工程大学
- 当前专利权人地址: 河北省石家庄市和平西路97号
- 代理机构: 北京专赢专利代理有限公司
- 代理商 刘备
- 主分类号: H05H1/46
- IPC分类号: H05H1/46 ; B64G1/52
摘要:
本发明公开了一种高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统,包括等离子体源体、微波系统和供气系统,微波系统包括微波电源系统和微波传输系统,微波电源系统通过微波传输系统将微波传输至等离子体源体的等离子体室内,供气系统包括气体储存系统和气体控制系统,等离子体源体产生的等离子体导入真空度为10‑4Pa以下的真空室内,并通过微波同轴天线在等离子体室内击穿工作气体,形成等离子体,位于等离子体室内的环形永磁钢用于产生磁场,且在磁场强度为0.0875特斯拉处形成高密度的电子回旋共振等离子体,所形成的等离子体包含电子和离子通过等离子体调节板扩散至待处理工件环境,实现介质表面电荷的主动调节。
公开/授权文献
- CN107734826A 高真空环境下介质材料表面电位主动控制系统 公开/授权日:2018-02-23
IPC分类: