一种Ni-Zn-N薄膜阻挡层及其制备方法
摘要:
本发明公开了一种Ni-Zn-N薄膜阻挡层及其制备方法,所述阻挡层按质量百分比计,其中Ni-Zn合金占60%~85%,余下成分为Zn3N2和Ni3N2,占15%~40%。本发明的Ni-Zn-N薄膜阻挡层与现有技术相比,稳定性能有显著提高。不易受温度变化影响,耐湿性能优异,不易受水汽侵蚀,制备出的电极使用寿命较常规电极有显著提高,阻挡层薄膜厚度均小于70nm,远低于常规的阻挡层,导电性能与传统Ag电极相当,制备方法简单易行,制备成本低。
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