发明公开
- 专利标题: 一种Ni-Zn-N薄膜阻挡层及其制备方法
- 专利标题(英): Ni-Zn-N film barrier layer and preparation method thereof
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申请号: CN201710872114.9申请日: 2017-09-25
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公开(公告)号: CN107742561A公开(公告)日: 2018-02-27
- 发明人: 汪雪婷
- 申请人: 江苏时瑞电子科技有限公司
- 申请人地址: 江苏省镇江市句容市空港新区塘西路8号
- 专利权人: 江苏时瑞电子科技有限公司
- 当前专利权人: 江苏时瑞电子科技有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省镇江市句容市空港新区塘西路8号
- 代理机构: 南京经纬专利商标代理有限公司
- 代理商 楼高潮
- 主分类号: H01C1/14
- IPC分类号: H01C1/14 ; H01C7/04 ; C23C14/14 ; C23C14/35
摘要:
本发明公开了一种Ni-Zn-N薄膜阻挡层及其制备方法,所述阻挡层按质量百分比计,其中Ni-Zn合金占60%~85%,余下成分为Zn3N2和Ni3N2,占15%~40%。本发明的Ni-Zn-N薄膜阻挡层与现有技术相比,稳定性能有显著提高。不易受温度变化影响,耐湿性能优异,不易受水汽侵蚀,制备出的电极使用寿命较常规电极有显著提高,阻挡层薄膜厚度均小于70nm,远低于常规的阻挡层,导电性能与传统Ag电极相当,制备方法简单易行,制备成本低。