公开(公告)号：CN108818156B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201810505145.5

申请日：2018-05-24

申请人： 江苏时瑞电子科技有限公司

发明人： 汪洋

IPC分类号： B24B1/00 ,  B24B31/02 ,  B24B31/12 ,  B24B31/16

摘要： 本发明公开了一种氧化锌压敏电阻磨片的方法。该方法包括以下步骤：向烧结好的氧化锌压敏电阻瓷片的双面覆盖一层薄膜，再投入滚磨机的滚筒中，所述氧化锌压敏电阻瓷片的体积占滚筒容积的95‑98%；向滚筒中加入浸润剂和金刚砂，浸润剂淹没氧化锌压敏电阻瓷片；将滚筒机密封好，磨片2‑5分钟；将磨完的氧化锌压敏电阻瓷片过筛，分离出金刚砂备用；打磨后氧化锌压敏电阻瓷片流水冲洗后，置于烘箱中完全烘干，氧化锌压敏电阻瓷片双面覆盖的薄膜自动脱落，即得所需成品。与现有的磨片方法相比，本发明方法简单易行，所得产品的合格率高，投入成本低，且生产效率高，适合产业化。

公开(公告)号：CN106187322B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201610540254.1

申请日：2016-07-11

申请人： 江苏时瑞电子科技有限公司

发明人： 李训红 ,  汪洋 ,  汪雪婷

IPC分类号： C04B41/88

摘要： 本发明公开了一种芯片陶瓷体双面涂银烧银方法，包括以下步骤：1）上表面涂银；2）上表面干燥；3）下表面涂银；4）下表面干燥；5）覆板；6）摆放；7）烧银；8）降温；9）冷却；本发明主要目的是为了加强芯片陶瓷体在涂银后银浆中的玻璃体充分渗入芯片陶瓷体中，增强芯片银层与陶瓷体的附着力，从而加强后续成品组装过程中芯片焊接后的吸附力。

公开(公告)号：CN108922702A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810505144.0

申请日：2018-05-24

申请人： 江苏时瑞电子科技有限公司

发明人： 汪洋

IPC分类号： H01C7/112 ,  H01C1/142 ,  H01C17/28

摘要： 本发明公开了一种氧化锌压敏电阻器的电极生产工艺。该生产工艺包括以下步骤：步骤1，将氧化锌压敏电阻器的基体清洗干净后，烘干；步骤2，用金属芯轴将所述的基体串起；步骤3，通过XYZ三轴微调平台对基体表面进行蚀刻凹槽，凹槽距离基体边缘2-5μm，凹槽的深度为电极的厚度；步骤4，通过磁控溅射技术向凹槽内沉积银浆料或铜浆料后，将基体转移至烘箱内干燥，即可。与现有技术相比，本发明生产工艺有效控制电极层的厚度，提高了产品的成品率，提高了生产效率，具有良好的产业前景。

公开(公告)号：CN108468039A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201810505162.9

申请日：2018-05-24

申请人： 江苏时瑞电子科技有限公司

发明人： 汪洋

IPC分类号： C23C18/40

CPC分类号： C23C18/40 ,  C23C18/1639

摘要： 本发明属于电子器件领域，具体涉及一种应用在氧化锌压敏电阻器铜电极的化学镀铜液及其镀铜工艺。该化学镀铜液包括硫酸铜、EDTA和/或EDTA二钠、四羟丙基乙二胺、乙二胺四乙酸二钠、氢氧化钠、次亚磷酸钠、水合肼、2，2’-联吡啶、表面活性剂、促进剂和抗氧化剂。本发明制备方法所得的用于氧化锌压敏电阻器制备的材料性能优良，本发明中不含有毒物质甲醛，生产过程绿色环保，且制备得到的镀层均匀性、耐蚀性、硬度、可焊性能优良，和氧化锌结合牢固。

公开(公告)号：CN107799247A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710873135.2

申请日：2017-09-25

申请人： 江苏时瑞电子科技有限公司

发明人： 汪洋

IPC分类号： H01C7/04 ,  H01C1/14 ,  H01C17/06

摘要： 本发明公开了一种负温度系数热敏电阻及其制备方法，热敏电阻陶瓷基片外侧依次真空蒸镀过渡层、电极层，电极层外侧还设有保护层，所述过渡层为厚度1-2μm的纳米镍层，纳米镍粒度在300-500nm之间，所述电极层为铜电极层；其制备方法为：(1)选取陶瓷基片；(2)采用真空蒸镀方式制备纳米镍薄膜，其中真空度5×10-1-2×10-7Pa，沉积速度1-10nm/s；(3)采用真空蒸镀方式在陶瓷基片表面制备表电极层，电极层厚度在1-2μm；(4)烧结处理；(5)陶瓷基片表面印刷保护层；(6)将陶瓷基片在250-300℃条件下固化处理，时间30-50min；(7)激光对电阻体进行S形切割；(8)经过裂片、端封和表面处理，即得。本发明制备的NTC热敏电阻工艺简单、产品质量稳定，便于企业自动化生产。

公开(公告)号：CN107768053A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710876050.X

申请日：2017-09-25

申请人： 江苏时瑞电子科技有限公司

发明人： 汪洋

IPC分类号： H01C1/14 ,  H01C17/28 ,  H01C7/02

CPC分类号： H01C1/14 ,  H01C7/021 ,  H01C17/288

摘要： 本发明属于热敏电阻器制备领域，具体涉及一种陶瓷热敏电阻器电极及其制备方法；陶瓷热敏电阻器电极包括陶瓷基体，和通过真空溅射方法溅射在陶瓷基体正反两表面的过渡层、阻挡层、第一导电层和第二导电层；制备方法为将陶瓷基体经过超声波清洗30-40min后去离子水洗涤2-3次，置于烘干机中烘干处理，烘干处理时间为20-30min，烘干处理温度为120-150℃；烘干后待用；将烘干后的陶瓷基体放入真空腔体内，抽真空，预热后真空溅射，依次溅射得到过渡层、阻挡层、第一导电层和第二导电层，溅射完成后分选、焊接、包装、制成成品。本发明制备得到的一种陶瓷热敏电阻器电极导电性能好、稳定性高，可有效阻挡铜向陶瓷基体扩散。

公开(公告)号：CN107705942A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710875372.2

申请日：2017-09-25

申请人： 江苏时瑞电子科技有限公司

发明人： 汪洋

IPC分类号： H01C1/14

CPC分类号： H01C1/1406 ,  H01C1/1413

摘要： 本发明属于热敏电阻器电极领域，具体涉及一种抗氧化的陶瓷热敏电阻铜电极，该电极包括陶瓷基体，和通过物理气相沉积法沉积在陶瓷基体正反面的厚度为2000-2200nm阻挡层、厚度为3000-3500nm的导电层和厚度为3000-3500nm的防氧化层，所述阻挡层材质为的复合Ti-SiN；所述导电层材质为铜，所述防氧化层材质为复合Cr-Al；所述物理气相沉积法是阴极电弧蒸发法。本发明的一种陶瓷热敏电阻器电极导电性能好、稳定性高，制备出的防氧化层与导电层粘合性好，可有效阻挡Cu原子被氧化。

公开(公告)号：CN107658046A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710872089.4

申请日：2017-09-25

申请人： 江苏时瑞电子科技有限公司

发明人： 汪洋

IPC分类号： H01B1/22 ,  H01B13/00

CPC分类号： H01B1/22 ,  H01B13/00

摘要： 本发明公开了一种高附着力导电银浆及其制备方法，所述银浆由以下重量份的原料组成：片状银粉90～120、玻璃粉10～18、树脂8～14、稀释剂2～5、表面活性剂1～3。所述片状银粉采用平均粒径1～5μm，密度10.5g/cm3，比表面积＜4m2/g的市售银粉。所述树脂包括丁醇醚化二甲酚甲醛树脂、季戊四醇醇酸树脂、松香改性酚醛树脂、三聚氰胺甲醛树脂、脲醛树脂中的三种或三种以上。本发明的导电银浆使用特殊的树脂材料，相较常规的银浆，大大提高了浆料的附着力，同时经测试，方阻值均＜20Ω*m，低于常规银浆，兼顾了浆料的导电性能。

公开(公告)号：CN107513639A

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201710871395.6

申请日：2017-09-25

申请人： 江苏时瑞电子科技有限公司

发明人： 汪洋

IPC分类号： C22C14/00 ,  C22C27/04 ,  C22C1/03 ,  C22C32/00

CPC分类号： C22C14/00 ,  C22C1/03 ,  C22C27/04 ,  C22C32/0094

摘要： 本发明公开了一种制备阻挡层用改性Ti-W合金的方法。该方法包括以下步骤：步骤1，按重量份数计称取助镀液的组分：聚醚砜25-58份，聚乙烯吡络烷酮1-4份，聚硅氧烷羧酸钠1-4份、多巴胺溶液2-8份；步骤2，选取Ti-W合金，清洗干净后，熔化得钨钛熔液；步骤3，将聚醚砜和聚乙烯吡络烷酮混合溶于聚硅氧烷羧酸钠，水浴加热至60-70℃后，保温4-6h,加入多巴胺溶液，1200-1800rpm的速度搅拌20-30min得助镀液；步骤4，向钨钛熔液中加入助镀液、泡沫铜和氢化蓖麻油，搅拌均匀后，投入挤出机中挤出改性Ti-W。该方法制备的Ti-W合金高温下热稳定好，与双极的附着力强，且不易被其他颗粒沾污。

公开(公告)号：CN107188541A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710363467.6

申请日：2017-05-22

申请人： 江苏时瑞电子科技有限公司

发明人： 汪洋 ,  李训红 ,  汪雪婷

IPC分类号： C04B35/04 ,  C04B35/10 ,  C04B35/622 ,  C04B35/632 ,  C04B35/634

CPC分类号： C04B35/10 ,  C04B35/04 ,  C04B35/622 ,  C04B35/632 ,  C04B35/63444 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607

摘要： 一种用于半导体传感器的陶瓷基底及其制备方法。该基底包括三氧化二铝，二氧化硅，氧化镁，氧化铬，氧化锌，聚乙酰胺基酚，对苯二醇，N，N‑对氨基磺酸钠，氧化钴，氧化钠，纳米碳，纳米镍，丁腈橡胶，无水乙醇，丙酮。将三氧化二铝、二氧化硅、氧化镁、氧化铬、氧化锌、氧化钴、氧化钠、纳米碳、纳米镍浸泡在无水乙醇和对苯二醇的混合液中，抽真空后粉碎后，加入聚乙酰胺基酚、N，N‑对氨基磺酸钠和丙酮的混合物中首次加入量为2‑5cm3/min，不断提高加入量至完全添加，再加入融化得丁腈橡胶，调节粘度后烧结得陶瓷基底。本发明陶瓷基底传热速度快，轻便，且不易碎。