利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明公开
CN108008326A 一种调控MRAM材料阻尼因子的方法 有权

  • 专利标题： 一种调控MRAM材料阻尼因子的方法
  • 专利标题（英）： Method for controlling damping factor of MRAM (Magnetic Random Access Memory) material
  • 申请号： CN201610957180.1
    申请日： 2016-10-31
  • 公开(公告)号： CN108008326A
    公开(公告)日： 2018-05-08
  • 发明人: 徐永兵 , 黄大威 , 阮学忠
  • 申请人： 南京大学
  • 申请人地址： 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号
  • 专利权人： 南京大学
  • 当前专利权人： 南京大学
  • 当前专利权人地址： 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号
  • 代理机构： 南京瑞弘专利商标事务所
  • 代理商 陈建和
  • 主分类号： G01R33/12
  • IPC分类号： G01R33/12 ;  G11B5/62
一种调控MRAM材料阻尼因子的方法
摘要：
本发明公开了一种通过改变MgO/CoFeB/Ta生长顺序来调节CoFeB薄膜阻尼因子的方法。该结构不仅表现出较好的垂直各向异性，而且阻尼因子可调性好，因此是一种可用于生产磁性随机存储(MRAM)器件的关键材料。本发明利用磁控溅射生长出Ta/CoFeB/MgO和MgO/CoFeB/Ta两种超薄膜并利用时间分辨磁光克尔效应(TRMOKE)测试材料的阻尼因子。Ta/CoFeB/MgO的阻尼因子(α)的值是0.017，而MgO/CoFeB/Ta的是0.027，由于阻尼因子改变大，这种材料很适合提高磁存储介质的读写速度。本发明中涉及到的样品结构依次是衬底、缓冲层、磁性层和覆盖层。飞秒脉冲激光重复频率为1000Hz，脉冲宽度为50fs，泵浦功率密度为3.54mJ/cm2。
摘要（英）：

The invention discloses a method for adjusting the damping factor of a CoFeB film through changing the growth sequence of MgO/CoFeB/Ta. The structure is better in perpendicular anisotropy and is goodin adjustability of the damping factor, so the material is a key material which can be used for generating an MRAM (Magnetic Random Access Memory) device. The magnetron sputtering is used for growinga Ta/CoFeB/MgO superthin film and an MgO/CoFeB/Ta superthin film, and a TRMOKE (Time Resolved Magneto-Optical Kerr Effect) is used for testing the damping factor of the material. The damping factor alpha of Ta/CoFeB/MgO is 0.017, and the damping factor of MgO/CoFeB/Ta is 0.027. Because the change of the damping factor is big, the material is very suitable for the increase of the reading and writing speed of the MRAM. The structure of a sample in the invention sequentially consists of a substrate, a buffering layer, a magnetic layer, and a coverage layer. The repetition frequency of femtosecondpulse laser is 1000Hz, the pulse width is 50fs, and the pumping power density is 3.54mJ/cm2.

公开/授权文献
0/0