Invention Grant
- Patent Title: 半导体存储器
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Application No.: CN201711021655.7Application Date: 2017-10-27
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Publication No.: CN108022614BPublication Date: 2022-12-30
- Inventor: 山田和志
- Applicant: 拉碧斯半导体株式会社
- Applicant Address: 日本神奈川县横滨市
- Assignee: 拉碧斯半导体株式会社
- Current Assignee: 拉碧斯半导体株式会社
- Current Assignee Address: 日本神奈川县横滨市
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 闫小龙; 郑冀之
- Priority: 2016-212082 20161028 JP
- Main IPC: G11C11/22
- IPC: G11C11/22

Abstract:
本发明涉及半导体存储器。提供与互补读出和使用了参照信号的读出对应并且抑制了位线间的噪声的传播的半导体存储器。第一存储器区域具有:配置成j行k列的存储器单元、上位位线、字线、连接于上位位线的每2条的读出放大器、连接于上位位线的下位位线、由与第奇数行的存储器单元连接的板线和与第偶数行的存储器单元连接的板线构成的板线对、以及将与读出放大器连接的2条上位位线之中的一条或另一条固定为规定的电位的放电信号线对。第二存储器单元具有:配置成j行m列的存储器单元、字线、下位位线、每一条与在行向上配置的存储器单元连接的板线、以及被设置为在与下位位线分离后的位置与下位位线相邻的屏蔽布线。
Public/Granted literature
- CN108022614A 半导体存储器 Public/Granted day:2018-05-11
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