发明公开
- 专利标题： 电容器沉积装置及使用该电容器沉积装置的介电薄膜的沉积方法
- 专利标题（英）： DEPOSITION APPARATUS OF CAPACITOR AND DEPOSITION METHOD OF DIELECTRIC LAYER USING THE SAME
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申请号： CN201680049494.X申请日： 2016-07-18
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公开(公告)号： CN108028254A公开(公告)日： 2018-05-11
- 发明人: 徐东源 , 郭在灿 , 赵炳夏
- 申请人： 周星工程股份有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 周星工程股份有限公司
- 当前专利权人： 周星工程股份有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京鸿元知识产权代理有限公司
- 代理商 李琳; 陈英俊
- 优先权： 10-2015-0106099 20150727 KR 10-2015-0155265 20151105 KR
- 国际申请： PCT/KR2016/007783 2016.07.18
- 国际公布： WO2017/018706 KO 2017.02.02
- 进入国家日期： 2018-02-26
- 主分类号： H01L27/108
- IPC分类号： H01L27/108 ; H01L49/02 ; H01L21/31 ; H01L21/203 ; H01L21/02
摘要：
公开了一种制造具有高介电常数的电容器的方法，该方法防止介电层的表面由于真空破坏而劣化，并且防止由于半导体基板被加载和卸载时产生的物理应力导致介电层的质量劣化。
IPC分类:
