公开(公告)号：CN108352299B

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN201680065212.5

申请日：2016-10-04

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 徐东源 ,  金宪度 ,  黄喆周

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/60

摘要： 本发明公开了一种基板处理设备及废气处理方法。在根据本发明的基板处理设备和废气处理方法中，废气分解模块可以分解从处理室排出的源气体以分解源气体的配体。此外，配体和配体已被分解的源气体通过与分别供给的O2、N2O或O3反应，可以处于稳定状态，然后可以变为包含与它们混合的反应气体的混合气体。随后，混合气体可以流入到排气泵中并且可以排出。可替换地，配体和源气体可以与反应气体混合并且可以排出。因此，配体和配体已被分解的源气体可能不与反应气体或者在排气泵中产生的热反应，并且因此，流入到排气泵中的配体已被分解的源气体和配体不沉积在排气泵的内表面上。此外，堆积在排气泵中的配体已被分解的源气体和配体不会爆炸。

公开(公告)号：CN108352299A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680065212.5

申请日：2016-10-04

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 徐东源 ,  金宪度 ,  黄喆周

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种基板处理设备及废气处理方法。在根据本发明的基板处理设备和废气处理方法中，废气分解模块可以分解从处理室排出的源气体以分解源气体的配体。此外，配体和配体已被分解的源气体通过与分别供给的O2、N2O或O3反应，可以处于稳定状态，然后可以变为包含与它们混合的反应气体的混合气体。随后，混合气体可以流入到排气泵中并且可以排出。可替换地，配体和源气体可以与反应气体混合并且可以排出。因此，配体和配体已被分解的源气体可能不与反应气体或者在排气泵中产生的热反应，并且因此，流入到排气泵中的配体已被分解的源气体和配体不沉积在排气泵的内表面上。此外，堆积在排气泵中的配体已被分解的源气体和配体不会爆炸。

公开(公告)号：CN108028254A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680049494.X

申请日：2016-07-18

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 徐东源 ,  郭在灿 ,  赵炳夏

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L49/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/203 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234

摘要： 公开了一种制造具有高介电常数的电容器的方法，该方法防止介电层的表面由于真空破坏而劣化，并且防止由于半导体基板被加载和卸载时产生的物理应力导致介电层的质量劣化。

公开(公告)号：CN115360075A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210874070.4

申请日：2016-10-04

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 徐东源 ,  金宪度 ,  黄喆周

IPC分类号： H01J37/32 ,  C23C16/44

摘要： 本发明公开了一种基板处理设备及废气处理方法。在根据本发明的基板处理设备和废气处理方法中，废气分解模块可以分解从处理室排出的源气体以分解源气体的配体。此外，配体和配体已被分解的源气体通过与分别供给的O2、N2O或O3反应，可以处于稳定状态，然后可以变为包含与它们混合的反应气体的混合气体。随后，混合气体可以流入到排气泵中并且可以排出。可替换地，配体和源气体可以与反应气体混合并且可以排出。因此，配体和配体已被分解的源气体可能不与反应气体或者在排气泵中产生的热反应，并且因此，流入到排气泵中的配体已被分解的源气体和配体不沉积在排气泵的内表面上。此外，堆积在排气泵中的配体已被分解的源气体和配体不会爆炸。

公开(公告)号：CN107567509A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201680024250.6

申请日：2016-04-18

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 韩泰晟 ,  姜大凤 ,  郭在灿 ,  金卡兰 ,  金斗荣 ,  徐东源 ,  李相斗 ,  李圣光 ,  赵炳夏 ,  千东硕 ,  黃喆周

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/513

CPC分类号： H01L21/67017 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/50 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/68771

摘要： 本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置包括：腔室；设置于所述腔室底部的基座；设置于所述基座上的腔室盖；第一源气体喷射器，设置于所述腔室盖中，用于喷射源气体；第二源气体喷射器，设置于所述腔室盖中，用于喷射源气体；以及第一吹扫气体喷射器，设置于所述腔室盖中，用于喷射吹扫气体。所述第一吹扫气体喷射器设置于所述第一源气体喷射器和第二源气体喷射器之间。