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发明公开
CN108122907A 半导体器件及其制造方法 审中-实审

半导体器件及其制造方法
摘要：
一种半导体器件包括：基板；形成在基板中的第一凹陷；填充第一凹陷的第一源极/漏极；在第一源极/漏极上的垂直金属电阻器；以及使金属电阻器与第一源极/漏极分隔开的绝缘衬垫，该垂直金属电阻器在两个栅电极之间。
摘要（英）：

A semiconductor device includes a substrate, a first recess formed in the substrate, a first source/drain filling the first recess, a vertical metal resistor on the first source/drain, and an insulating liner separating the metal resistor from the first source/drain, with the vertical metal resistor being between two gate electrodes.

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