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公开(公告)号：CN107799464A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710794636.1
申请日：2017-09-05
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L23/535 , H01L29/423 , H01L29/45
CPC分类号： H01L21/76862 , H01L21/76805 , H01L21/76816 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76895 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L23/53209 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/53266 , H01L23/535 , H01L29/4236 , H01L21/76877 , H01L23/5283 , H01L29/45
摘要： 公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；在所述衬底上的绝缘层，所述绝缘层中包括有第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽的深宽比小于所述第一沟槽的深宽比；在第一沟槽和第二沟槽中的阻挡层；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述阻挡层上的籽晶层；在籽晶层上并填充在第一沟槽中的第一体层；和在籽晶层上并填充在第二沟槽中的第二体层，其中第二体层的平均晶粒大小大于第一体层的平均晶粒大小。
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公开(公告)号：CN106531719A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610825719.8
申请日：2016-09-14
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/538
摘要： 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源鳍，在基底上从隔离图案部分地突出；栅极结构，在有源鳍上；源/漏层，在与栅极结构相邻的有源鳍的一部分上；金属硅化物图案，在源/漏层上；以及塞，在金属硅化物图案上。塞包括：第二金属图案；金属氮化物图案，接触金属硅化物图案的上表面，并覆盖第二金属图案的底部和侧壁；以及第一金属图案，在金属硅化物图案上，第一金属图案覆盖金属氮化物图案的外侧壁。第一金属图案的氮浓度根据距金属氮化物图案的外侧壁的距离而逐渐减小。
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公开(公告)号：CN109427875B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201810962227.2
申请日：2018-08-22
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/423
摘要： 栅极环绕场效应晶体管器件可包括多个纳米结构，所述纳米结构在衬底上方在场效应晶体管器件的沟道区中彼此间隔开。栅极电极可位于具有所述多个纳米结构的栅极环绕构造中且半导体图案可位于栅极电极的一侧上。半导体图案中的接触沟槽中的接触件与硅化物膜可在所述接触沟槽的侧壁上共形地延伸到沟道区中比所述多个纳米结构中最上纳米结构低的水平高度。
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公开(公告)号：CN107799464B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201710794636.1
申请日：2017-09-05
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L23/535 , H01L29/423 , H01L29/45
摘要： 公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；在所述衬底上的绝缘层，所述绝缘层中包括有第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽的深宽比小于所述第一沟槽的深宽比；在第一沟槽和第二沟槽中的阻挡层；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述阻挡层上的籽晶层；在籽晶层上并填充在第一沟槽中的第一体层；和在籽晶层上并填充在第二沟槽中的第二体层，其中第二体层的平均晶粒大小大于第一体层的平均晶粒大小。
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公开(公告)号：CN106898545A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710130527.X
申请日：2013-05-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/485 , H01L27/092 , H01L29/08 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66 , H01L29/78
摘要： 本发明提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一层间绝缘膜，包括孔，位于基底上；栅极，形成在孔中；抬升源极/漏极区域，形成在栅极的两侧上；开口，位于第一层间绝缘膜中并暴露抬升源极/漏极区域的表面；金属硅化物，形成在开口中；其中，金属硅化物包括远离抬升源极/漏极区域的表面的硅化物下轮廓，硅化物下轮廓具有弯曲的剖面，其中，金属硅化物包括具有底部和侧壁的上凹进，其中，上凹进的底部与硅化物下轮廓的底部分开的距离大于上凹进的侧壁与硅化物下轮廓的侧壁分开的距离，其中，上凹进的侧壁与开口的侧壁共面，其中，半导体装置的集成密度是20nm或更小。
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公开(公告)号：CN106981487B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201610884201.1
申请日：2016-10-10
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8238
摘要： 本发明可以提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括：基板，具有至少一个鳍形有源区，该至少一个鳍形有源区在第一方向上延伸；栅线，在第二方向上在该至少一个鳍形有源区上延伸，第二方向与第一方向交叉；导电区域，在该至少一个鳍形有源区的在栅线的一侧的一部分上；以及接触插塞，在第三方向上从导电区域延伸，第三方向垂直于基板的主平面。接触插塞可以包括金属插塞、在导电区域上的导电的阻挡膜以及在导电区域和导电的阻挡膜之间的金属硅化物膜，该导电的阻挡膜围绕金属插塞的侧壁和底表面，该导电的阻挡膜包括富N的金属氮化物膜。
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公开(公告)号：CN103426739B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201310195386.1
申请日：2013-05-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/7839 , H01L21/26506 , H01L21/28 , H01L21/28518 , H01L21/28537 , H01L21/76814 , H01L23/485 , H01L27/092 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/401 , H01L29/665 , H01L29/66636 , H01L29/66643 , H01L29/78 , H01L29/7848 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了使用预非晶化注入形成半导体装置的方法以及形成的半导体装置。可以通过形成暴露抬升源极/漏极区域的表面的开口来提供形成半导体装置的方法。可以减小开口的尺寸，并可以通过开口对抬升源极/漏极区域执行预非晶化注入（PAI），以形成抬升源极/漏极区域的非晶化部分。可以由金属和非晶化部分形成金属硅化物。
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公开(公告)号：CN103426739A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310195386.1
申请日：2013-05-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/7839 , H01L21/26506 , H01L21/28 , H01L21/28518 , H01L21/28537 , H01L21/76814 , H01L23/485 , H01L27/092 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/401 , H01L29/665 , H01L29/66636 , H01L29/66643 , H01L29/78 , H01L29/7848 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了使用预非晶化注入形成半导体装置的方法以及形成的半导体装置。可以通过形成暴露抬升源极/漏极区域的表面的开口来提供形成半导体装置的方法。可以减小开口的尺寸，并可以通过开口对抬升源极/漏极区域执行预非晶化注入（PAI），以形成抬升源极/漏极区域的非晶化部分。可以由金属和非晶化部分形成金属硅化物。
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