发明公开
- 专利标题: 积体电感及其制造方法
- 专利标题(英): Integrated inductor and manufacturing method
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申请号: CN201611097219.3申请日: 2016-12-02
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公开(公告)号: CN108155177A公开(公告)日: 2018-06-12
- 发明人: 颜孝璁 , 简育生 , 叶达勋
- 申请人: 瑞昱半导体股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹科学工业园区创新二路2号
- 专利权人: 瑞昱半导体股份有限公司
- 当前专利权人: 瑞昱半导体股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹科学工业园区创新二路2号
- 代理机构: 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 李伟
- 主分类号: H01L23/64
- IPC分类号: H01L23/64
摘要:
一种积体电感,其包含基板、绝缘层及电感。基板包含沟槽。至少一部分的绝缘层形成于沟槽内。电感配置于沟槽内,并位于绝缘层上。
公开/授权文献
- CN108155177B 积体电感及其制造方法 公开/授权日:2020-10-23
IPC分类: