- 专利标题: 一种抗单粒子翻转的寄存器文件存储阵列写单元
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申请号: CN201810083064.0申请日: 2018-01-29
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公开(公告)号: CN108183706B公开(公告)日: 2021-09-07
- 发明人: 李振涛 , 宋芳芳 , 刘尧 , 陈书明 , 郭阳 , 张秋萍 , 吕灵慧 , 宋婷婷
- 申请人: 中国人民解放军国防科技大学
- 申请人地址: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- 专利权人: 中国人民解放军国防科技大学
- 当前专利权人: 中国人民解放军国防科技大学
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- 代理机构: 长沙国科天河知识产权代理有限公司
- 代理商 邱轶
- 主分类号: H03K19/1776
- IPC分类号: H03K19/1776 ; H03K19/17764
摘要:
本发明提出了一种抗单粒子翻转的寄存器文件存储阵列写单元,属于寄存器文件存储阵列写单元的抗辐照设计领域。抗单粒子翻转的寄存器文件存储阵列写单元由6选1多路选择单元、双稳态单元、12管双端写加固单元、双端写加固使能产生单元、第五反相器及第六反相器组成。本发明的抗单粒子翻转的寄存器文件存储阵列写单元使用了电路级加固技术,增加了双端写加固使能产生单元和12管双端写加固单元,实现了抗单粒子翻转的多端口寄存器文件的写存储单元,使用耦合的方式防止SEU,同时在版图设计将存储相同值的节点进行交叉布局,防止发生电荷共享。
公开/授权文献
- CN108183706A 一种抗单粒子翻转的寄存器文件存储阵列写单元 公开/授权日:2018-06-19
IPC分类: