- 专利标题: 一种基于电解液溶剂热插锂剥离制备单层二硫化钼的方法
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申请号: CN201810063026.9申请日: 2018-01-23
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公开(公告)号: CN108190960B公开(公告)日: 2020-05-08
- 发明人: 杨尊先 , 郭太良 , 叶冰清 , 艾经伟 , 刘佳慧 , 张余祥 , 林志贤 , 陈耿旭 , 李福山 , 林诗敏
- 申请人: 福州大学
- 申请人地址: 福建省福州市闽侯县福州地区大学新区学园路2号
- 专利权人: 福州大学
- 当前专利权人: 福州大学
- 当前专利权人地址: 福建省福州市闽侯县福州地区大学新区学园路2号
- 代理机构: 福州元创专利商标代理有限公司
- 代理商 蔡学俊
- 主分类号: C01G39/06
- IPC分类号: C01G39/06 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明公开了一种基于电解液溶剂热插锂剥离制备单层二硫化钼的方法,利用溶剂热法,在反应釜中,以MoS2粉末为前驱体,电解液为溶剂,在高纯氩气的保护下,将电解液中锂离子嵌入到MoS2层之间,通过离心工艺去除未反应的MoS2,得到嵌锂的单层MoS2纳米材料,再通过加入丙酮离心清洗若干次,最后通过去离子水超声处理制备出了高纯度的单层结构的MoS2纳米材料。本发明制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单,充分利用锂离子嵌入MoS2纳米材料,从而有效提高单层硫化钼的产率。
公开/授权文献
- CN108190960A 一种基于电解液溶剂热插锂剥离制备单层二硫化钼的方法 公开/授权日:2018-06-22
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