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公开(公告)号：CN117800711A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410002643.3
申请日：2024-01-02
Applicant: 福州大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/457 , C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/626 , C23C14/34 , C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种氧化物靶材制备方法，先将多种不同的金属氧化物粉进行混合球磨，同时在球磨过程中加入超声技术，获得金属氧化物混合浆料1；然后将粘结剂加入到混合浆料1中后再次进行球磨，球磨过程中加入超声技术，细化分散过程，得到混合浆料2；将混合浆料2注入模具中进行成型，脱模后得到生坯，最后对生坯依次进行干燥、脱脂和烧结，得到高质量氧化物靶材；本发明在球磨过程中加入超声技术，利用超声波的高能量，进一步打散球磨过程中的团聚颗粒，有效解决球磨过程中混合不均匀的问题；在分散过程中利用球磨和超声波细化分散过程，使混合浆料粒径分布均匀，具有高的致密性。因此，本发明制备的氧化物靶材成分均匀，致密性高，性能好。
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公开(公告)号：CN111952474B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202010829285.5
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/115 , H10K85/00 , H10K71/12
Abstract: 本发明涉及一种基于有机物聚合的量子点发光二极管及其制备方法。所述量子点发光二极管，包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述量子点发光层为量子点与有机物混合旋涂制备。本发明量子点发光二极管制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在量子点层中有机物的聚合，有效阻挡了电子传输层和空穴传输层的直接接触，减小了漏电流，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生。可使量子点发光二极管的寿命以及性能大大提高。
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公开(公告)号：CN108155369B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810064130.X
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及一种类石墨烯/金属硫化物/碳复合电极材料的制备方法，利用生活垃圾柚子皮作为碳源，通过去有机化和增大孔径处理得到电极材料，将其浸润在活性物质的离子溶液中，使活性金属离子负载在材料的表面，然后通过煅烧将其转化为负载在多孔碳上的复合电极材料。接着再通过硫化处理使得到电极材料得到改性，获得性能更好的复合电极材料，最后又经过葡萄糖包覆以及碳化等工艺，得到性能更加稳定的类石墨烯/金属硫化物/碳复合电极材料。本发明制备方法绿色无污染，制作成本低，将生活中的垃圾柚子皮变废为宝，获得的复合材料具有优异的电化学性能，将极大促进新能源中锂电池负极材料的发展与创新。
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公开(公告)号：CN108102643B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201810061802.1
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光薄膜的制备方法。其先制备具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜，随后再以其为模板，通过旋涂的方式灌入量子点前驱体溶液，使量子点在SBA‑15薄膜的垂直孔道中形成，再在其表面旋涂一层高分子聚合物进行封装，从而形成所述基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光薄膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过SBA‑15的孔道限域作用，可使形成的量子点具有粒径均一、单色性好等优势。
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公开(公告)号：CN108258058A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810061249.1
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种基于金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合结构薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，制备出金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合膜层，再通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合有源层和沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极和漏极，再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合结构薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，能有效提高这种金/SiO2壳核微结构与二硫化钼复合薄膜晶体管的电学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108155369A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201810064130.X
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及一种类石墨烯/金属硫化物/碳复合电极材料的制备方法，利用生活垃圾柚子皮作为碳源，通过去有机化和增大孔径处理得到电极材料，将其浸润在活性物质的离子溶液中，使活性金属离子负载在材料的表面，然后通过煅烧将其转化为负载在多孔碳上的复合电极材料。接着再通过硫化处理使得到电极材料得到改性，获得性能更好的复合电极材料，最后又经过葡萄糖包覆以及碳化等工艺，得到性能更加稳定的类石墨烯/金属硫化物/碳复合电极材料。本发明制备方法绿色无污染，制作成本低，将生活中的垃圾柚子皮变废为宝，获得的复合材料具有优异的电化学性能，将极大促进新能源中锂电池负极材料的发展与创新。
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公开(公告)号：CN111952471B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010828295.7
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
IPC: H10K71/12 , H10K71/40 , H10K50/115 , H10K50/155
Abstract: 本发明涉及一种基于Au@SiO2等离子激元增强的量子点发光二极管的制备方法，先制备TFB/Au@SiO2壳核结构纳米颗粒溶液，在ITO玻璃上制备空穴注入层、空穴传输层、以及量子点发光层，随后制备电子传输层和电极，空穴传输层利用TFB/Au@SiO2壳核结构纳米颗粒溶液旋涂制备。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在空穴传输层中掺杂金纳米颗粒，使得空穴传输层的迁移率提升，同时利用等离子激元增强原理提高器件的发光强度，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生，同时降低了开启电压，提高了在同等电压下的发光强度、EQE，可使量子点发光二极管的性能大大提高。有效的解决了叠层量子点发光二极管开启电压过大以及电流密度较小的缺点。
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公开(公告)号：CN111952473B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202010829057.8
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/15 , H10K50/155 , H10K85/50 , H10K71/12
Abstract: 本发明涉及一种使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿薄膜及发光二极管制备方法。首先在ITO玻璃上，在经过对ITO导电玻璃的清洁和臭氧处理之后，利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备ZnO薄膜以及PEIE薄膜，随后通过两步旋涂而后通过退火获得了使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿薄膜发光层，再利用旋涂工艺在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层，并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和金，最终形成一种使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿发光二极管器件。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，本发明过两亲性二氧化硅纳米颗粒对FAPbI3这种钙钛矿的掺杂混合，不仅使得纳米颗粒在钙钛矿颗粒间
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公开(公告)号：CN108557837B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201810061817.8
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜的制备方法，其以P123、SDS和C16TMAB混合作为三元表面活性剂，以酸化硅酸钠作为硅源，将两者混合制备模板溶液后，利用简单的旋涂成膜工艺技术，在硅片衬底上制备薄膜层，再通过干燥、焙烧除去其中的三元表面活性剂后，经水热处理制得具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，所得具有垂直结构的SBA‑15薄膜能够应用于光电器件和锂电池方面的制备。
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公开(公告)号：CN111952472A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010828328.8
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于短链配体修饰的CdSe量子点发光二极管器件制备方法,包括以下步骤：步骤S1：选取ITO玻璃作为衬底，步骤S2：旋涂PEDOT：PSS溶液，形成薄膜；步骤S3：配置空穴传输层溶液，并旋涂于PEDOT：PSS的膜层之上，形成空穴传输层；步骤S4：制备银纳米颗粒，并使用正己烷溶解纳米颗粒，制备成银纳米颗粒的正己烷溶液；步骤S5：制备CdSe量子点与二氧化硅纳米颗粒的混合溶液，并在空穴传输层上旋涂混合溶液，形成CdSe量子点发光中心层；步骤S6：配置ZnO溶液，在量子点膜层之上旋涂该溶液，形成氧化锌的电子传输层；步骤S7：利用蒸镀技术，形成银电极，制备得出掺杂了银的CdSe量子点发光二极管。本发明能够有效提高量子点发光层的载流子浓度，提高其复合几率。
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