本发明提供一种半导体器件的制造方法，在体衬底上的器件区域上形成第一外延层，器件区域的第一外延层中形成有外延柱，并在外延柱和第一外延层上形成第二外延层，而后，去除第一外延层，而后通过氧化工艺，将外延柱充分氧化，同时去除第二外延层的所在位置处的第一外延层和体衬底相对的表面也被氧化，从而在第二外延层和体衬底之间形成埋氧层，之后可以在器件区域的第二外延层上形成所需的器件结构，这样，就在体衬底上实现了SOI器件的制造。该方法通过体衬底形成SOI器件，降低制造成本。