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公开(公告)号：CN118539286A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410564578.3
申请日：2024-05-08
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种混合外腔激光器和传感系统，涉及光电子器件技术领域，用于通过反射型半导体光放大器和异构微环腔的集成，实现便携的高集成度的混合外腔激光器。所述混合外腔激光器包括：基底、以及设置在基底上的反射型半导体光放大器、异构微环腔和反射镜。其中，上述反射型半导体光放大器的输出端与异构微环腔的输入端相连。异构微环腔的下载端和反射镜连接。反射镜的输出端为混合外腔激光器的输出端。上述异构微环腔具有微环结构、以及设置在微环结构内的一维光子晶体纳米束腔，同时用作混合激光器的外腔和与待测物接触的传感腔。所述混合外腔激光器应用于传感系统。
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公开(公告)号：CN117724296A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311754339.6
申请日：2023-12-19
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G03F7/16
摘要： 本发明公开了一种光刻方法、半导体结构以及电子设备，涉及光刻技术领域，以提供一种能够保证台阶处不产生气泡，且能够保证光刻胶厚度均匀的技术方案。包括以下步骤：提供衬底，并利用稀释液浸润所述衬底；在利用稀释液浸润后的所述衬底上形成光刻胶；在预设温度范围和预设时长内，对形成有所述光刻胶的衬底进行处理，以使所述衬底上所述光刻胶中的有机溶剂进行挥发，其中，所述预设温度范围小于或等于60°。
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公开(公告)号：CN116794767A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310076642.9
申请日：2023-01-16
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本申请提供一种层间耦合结构及其制备方法，该结构包括：位于衬底上的第一波导；第一介质层覆盖第一波导；位于第一介质层远离衬底一侧的第一层氮化硅结构；第二介质层覆盖第一层氮化硅结构；位于第二介质层远离衬底一侧的第二层氮化硅结构；第一波导、第一层氮化硅结构和第二层氮化硅结构任意两者之间在衬底上的正投影具有重合区域；第二层氮化硅结构靠近第一波导的一端具有斜面结构。利用第一层氮化硅结构来提高层间耦合结构中膜层的质量，降低波导损耗，但第一层氮化硅结构的厚度不宜过厚，否则会产生裂纹，从而影响器件的整体性能，故在第一层氮化硅结构上形成第二层氮化硅结构以从整体上保证层间耦合结构中膜层厚度，减少损耗，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN112680715B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202011263056.8
申请日：2020-11-12
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及一种氮化硅膜的生长方法及厚膜氮化硅波导器件的制备方法。氮化硅膜的生长方法：在半导体衬底上生长氧化层；在氧化层上刻蚀出多条深槽，每条深槽底部深入半导体衬底内部，并且多条深槽相交将氧化层分成多个区域；然后在氧化层表面，利用LPCVD方法分多次沉积多层氮化硅膜，多层氮化硅膜堆叠成预设厚度的氮化硅膜，并且多次沉积中除最后一次沉积外，其余每次沉积之后都进行退火处理。氮化硅波导器件的制备方法：采用上述的生长方法生长氮化硅厚膜，制作波导结构，经过后续工艺形成波导器件。本发明以多组相邻深槽作为隔离区，提出了划区域预留氮化硅沉积区域的方法，解决了氮化硅因膜太厚而产生的高应力问题。
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公开(公告)号：CN115340058A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110523470.6
申请日：2021-05-13
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种具有空腔结构的电子器件及其制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中具有空腔结构的电子器件采用标准的微电子组装技术存在污染或者损坏空腔结构的问题。本发明的电子器件，包括器件基体和封盖层，器件基体的至少一个表面开设有空腔结构，器件基体设有空腔结构的表面覆盖封盖层，使得封盖层封盖空腔结构的开口。本发明的制备方法包括如下步骤：在器件基体设有空腔结构的表面形成封盖层，使得封盖层封盖空腔结构的开口。本发明的电子器件和制备方法能够保证空腔结构的完整性和洁净度，进而能够提高电子器件的整体稳定性。
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公开(公告)号：CN112462470B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202011167383.3
申请日：2020-10-27
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明提供了一种利用侧墙转移制作硅基光子器件的方法及硅基光子器件，该方法包括以下步骤：提供绝缘体上硅衬底；在所述绝缘体上硅衬底上至少沉积一层刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成凹槽；沉积第一侧墙材料，以在所述凹槽两侧形成第一侧墙；去除所述第一侧墙两侧的刻蚀停止层；沉积第二侧墙材料，以在所述第一侧墙两侧形成第二侧墙；刻蚀去除所述第一侧墙；以第二侧墙为光刻掩膜刻蚀所述绝缘体上硅衬底。该方法采用多次侧墙转移方法形成陡直度好的光栅结构，并可远超过光刻机线宽精度。
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公开(公告)号：CN112151638B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202010827989.9
申请日：2020-08-17
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种感光半导体结构及其感光波段调节方法、组成的光电器件。调节感光半导体结构的感光波段的方法，包括：所述感光半导体结构包括衬底和感光层；向所述感光层进行处理a或处理b中的至少一种，其中：处理a：退火处理，退火温度为750‑1200℃，通过控制所述退火的温度和/或时间来调节感光波段；处理b：掺杂硼和/或磷，通过控制硼和/或磷的掺杂比例来调节感光波段。本发明可通过退火或掺杂处理调整感光层的折射率、消光系数，从而调节感光波段，扩展了感光器件类型及应用范围。
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公开(公告)号：CN114038738A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111284113.5
申请日：2021-11-01
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/033 , G03F7/16 , G03F7/20
摘要： 本发明公开一种电子束曝光图形的转移方法、装置及电子设备，涉及半导体纳米加工技术领域。方法包括：在衬底上通过旋涂的方式形成硬掩模层；在硬掩模层上形成电子束胶层；通过电子束曝光技术在所述电子束胶层上形成第一曝光图形；以所述电子束胶层为掩膜刻蚀所述硬掩模层，基于所述第一曝光图形在所述硬掩模层上形成目标曝光图形；将所述目标曝光图形转移到所述衬底上，避免了在只通过电子束胶层将曝光图形转移至衬底时由于使用的电子束胶层厚度很薄导致该电子束胶无法用于刻蚀阻挡层，无法将形成的图形传递至衬底表面的问题，解决了由于电子束胶无法通过常规的去胶工艺进行去除导致电子束返工过程无法进行的问题，提高了曝光的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN111048626B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911368532.X
申请日：2019-12-26
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/105
摘要： 本发明公开了一种硅基光电探测器的制造方法，包括：在SOI衬底的上表面形成第一介质层；采用干法刻蚀工艺对所述第一介质层进行刻蚀，形成第一凹槽，所述第一凹槽的深度小于所述第一介质层的厚度；采用湿法刻蚀工艺对所述第一凹槽的底部进行刻蚀，形成第二凹槽，所述第二凹槽的深度与所述第一凹槽的深度之和等于所述第一介质层的厚度；在所述第二凹槽的底部形成牺牲层；去除所述牺牲层，暴露出所述SOI衬底；在所述SOI衬底上生长探测层；对所述探测层进行表面平坦化处理，使所述探测层的上表面和所述第一介质层的上表面位于同一平面内。本发明提供的硅基光电探测器的制造方法，可以达到减小硅基光电探测器暗电流的目的。
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公开(公告)号：CN112558331A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011460354.6
申请日：2020-12-11
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G02F1/01
摘要： 本发明公开了一种热光器件及其制造方法，涉及热光器件技术领域，用于降低加热电极为光波导进行加热时的加热功耗，提高热光器件的工作性能。该热光器件包括：基底，基底包括衬底、以及形成在衬底上的光波导和加热电极；加热电极位于光波导的上方；衬底内开设有贯穿衬底的第一开口槽，第一开口槽位于光波导的下方；以及填充在第一开口槽内的低热损耗材料，低热损耗材料的导热系数小于衬底的导热系数。所述热光器件的制造方法用于制造所述热光器件。
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