本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法，其中数据线和源漏极的制作方法具体为：S21、分别制作数据线材料膜层和源漏极材料膜层；S22、制作光阻材料膜层；S23、采用半色调掩膜法刻蚀光阻材料膜层形成光阻层，获得第一蚀刻基板；S24、采用4 Mask工艺刻蚀第一蚀刻基板，在栅极绝缘层上形成数据线，在有源层上形成源漏极，在源漏极间形成背沟道，获得薄膜晶体管。根据本发明的制作方法通过设计线宽较大的数据线材料膜层和源漏极材料膜层，并结合半色调掩膜法形成光阻层，可有效避免数据线和源漏极的锯齿侧边，改善了铜质的数据线和源漏极的侧边干刻异物，形成正常taper角，改善了台阶覆盖性。本发明还公开了基于上述薄膜晶体管的制作方法来制作阵列基板的方法。