发明授权
CN108291887B 电位测量装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： 电位测量装置
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申请号： CN201680057512.9申请日： 2016-08-09
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公开(公告)号： CN108291887B公开(公告)日： 2021-05-14
- 发明人: 小木纯 , 大池祐辅
- 申请人： 索尼半导体解决方案公司
- 申请人地址： 日本国神奈川县厚木市朝日町4-14-1
- 专利权人： 索尼半导体解决方案公司
- 当前专利权人： 索尼半导体解决方案公司
- 当前专利权人地址： 日本国神奈川县厚木市朝日町4-14-1
- 代理机构： 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
- 代理商 陈桂香; 曹正建
- 优先权： 2015-201155 20151009 JP
- 国际申请： PCT/JP2016/073478 2016.08.09
- 国际公布： WO2017/061171 JA 2017.04.13
- 进入国家日期： 2018-04-02
- 主分类号： G01N27/30
- IPC分类号： G01N27/30 ; G01N27/403 ; G01N27/416
摘要：
根据本公开的电位测量装置包括多个读出电极，其以阵列形状布置并且配置为检测由于化学变化产生的电位生成点处的电位；和参考电极，其配置为检测参考电位。该参考电极布置在该读出电极的阵列内部。在这个配置下，其中获得其中可以降低叠加在从每个读出电极至放大器的配线上的噪声和叠加在从该参考电极至该放大器的配线上的噪声的低噪声电位测量装置。
公开/授权文献
- CN108291887A 电位测量装置 公开/授权日：2018-07-17
