-
公开(公告)号：CN111886857B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201980019384.2
申请日：2019-01-10
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H04N25/633 , H04N25/671 , H04N25/677 , H04N25/74 , H04N25/76 , H04N25/78
摘要： 本发明提高了固态摄像器件中图像数据的图像质量，该固态摄像器件根据各对像素的浮动扩散区域之间的电位差读取信号。在本发明中，像素单元设置有多行，每行包括多个像素。每当经过了预定周期，读出行选择单元选择所述多行中的一行作为读取行，并使得所述读取行中的所述多个像素中的每个像素生成与光接收量相对应的信号电位。每当经过了预定周期，参考行选择单元从所述多行中选择与先前的行不同的行作为当前的参考行，并使得所述参考行中的所述多个像素中的每个生成预定参考电位。读出电路单元读取与所述信号电位与所述参考电位之间的差对应的电压信号。
-
公开(公告)号：CN113424027B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202080013323.8
申请日：2020-03-06
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： G01J1/42 , G01J1/44 , H01L31/107 , H01L31/10
摘要： 光接收装置(1a)包括计数单元(11)、设定单元(12)和获取单元(13)。计数单元被构造为对检测次数进行计数并且输出计数值，所述检测次数表示在曝光时段内检测到的光子入射到光接收元件上的次数。设定单元被构造为根据曝光时段内的经过时间来设定更新时间信息的周期。获取单元被构造为获取时间信息，所述时间信息指示在经过曝光时段之前计数值达到阈值的时间。
-
公开(公告)号：CN117692797A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311692971.2
申请日：2019-01-18
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H04N25/47 , H04N25/53 , H04N25/707 , H04N25/445 , H04N25/443 , H04N25/772 , H01L27/146
摘要： 本公开涉及光检测装置。本发明的目的是减小检测地址事件的固态成像元件中的电路规模。该固态成像元件设置有多个光电转换元件、信号提供单元和检测单元。在该固态成像元件中，多个光电转换元件中的每一个对入射光进行光电转换以产生第一电信号。在固态成像元件中，检测单元检测多个光电转换元件中的每一个的第一电信号的变化量是否超过预定阈值，并输出指示检测结果的检测信号。
-
公开(公告)号：CN108291887B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201680057512.9
申请日：2016-08-09
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： G01N27/30 , G01N27/403 , G01N27/416
摘要： 根据本公开的电位测量装置包括多个读出电极，其以阵列形状布置并且配置为检测由于化学变化产生的电位生成点处的电位；和参考电极，其配置为检测参考电位。该参考电极布置在该读出电极的阵列内部。在这个配置下，其中获得其中可以降低叠加在从每个读出电极至放大器的配线上的噪声和叠加在从该参考电极至该放大器的配线上的噪声的低噪声电位测量装置。
-
公开(公告)号：CN111052728B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN201980003772.1
申请日：2019-05-16
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H04N25/00 , H01L27/146
摘要： 本公开的图像捕获装置包括：光电转换器，其可根据入射光产生信号；存储单元，其可根据信号存储数据；像素，每个像素具有输出单元，其可输出存储在存储单元中的数据；以及控制器，其可在存储在存储单元中的数据满足预定条件时控制输出单元以便输出单元输出数据。
-
公开(公告)号：CN111615823B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201980008784.3
申请日：2019-01-18
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H04N25/77 , H01L27/146
摘要： 本发明的目的是减小检测地址事件的固态成像元件中的电路规模。该固态成像元件设置有多个光电转换元件、信号提供单元和检测单元。在该固态成像元件中，多个光电转换元件中的每一个对入射光进行光电转换以产生第一电信号。在固态成像元件中，检测单元检测多个光电转换元件中的每一个的第一电信号的变化量是否超过预定阈值，并输出指示检测结果的检测信号。
-
公开(公告)号：CN109155325A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201880002008.8
申请日：2018-03-20
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/107 , H04N5/225 , H04N5/369
摘要： [目的]为了实现像素的小型化、噪声的减小和高量子效率，以及在抑制像素间干扰和各像素差异的同时提高短波灵敏度。[方案]根据本发明，提出一种摄像装置，其包括：第一半导体层，其形成在半导体基板上；第二半导体层，其形成在第一半导体层上且具有与第一半导体层的导电类型相反的导电类型；像素分隔部，其限定包括第一半导体层和第二半导体层的像素区域；第一电极，其从半导体基板的一个表面侧连接至第一半导体层；和第二电极，其从作为半导体基板的另一表面的光照射面侧连接至第二半导体层，并且被形成为与像素分隔单元的位置对应。
-
公开(公告)号：CN108291887A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680057512.9
申请日：2016-08-09
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： G01N27/30 , G01N27/403 , G01N27/416
CPC分类号： G01N27/30 , G01N27/403 , G01N27/416
摘要： 根据本公开的电位测量装置包括多个读出电极，其以阵列形状布置并且配置为检测由于化学变化产生的电位生成点处的电位；和参考电极，其配置为检测参考电位。该参考电极布置在该读出电极的阵列内部。在这个配置下，其中获得其中可以降低叠加在从每个读出电极至放大器的配线上的噪声和叠加在从该参考电极至该放大器的配线上的噪声的低噪声电位测量装置。
-
公开(公告)号：CN109155325B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201880002008.8
申请日：2018-03-20
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/107
摘要： [目的]为了实现像素的小型化、噪声的减小和高量子效率，以及在抑制像素间干扰和各像素差异的同时提高短波灵敏度。[方案]根据本发明，提出一种摄像装置，其包括：第一半导体层，其形成在半导体基板上；第二半导体层，其形成在第一半导体层上且具有与第一半导体层的导电类型相反的导电类型；像素分隔部，其限定包括第一半导体层和第二半导体层的像素区域；第一电极，其从半导体基板的一个表面侧连接至第一半导体层；和第二电极，其从作为半导体基板的另一表面的光照射面侧连接至第二半导体层，并且被形成为与像素分隔单元的位置对应。
-
公开(公告)号：CN117692796A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311684778.4
申请日：2019-01-18
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H04N25/47 , H04N25/53 , H04N25/707 , H04N25/445 , H04N25/443 , H04N25/772 , H01L27/146
摘要： 本公开涉及光检测装置和车辆控制系统。本发明的目的是减小检测地址事件的固态成像元件中的电路规模。该固态成像元件设置有多个光电转换元件、信号提供单元和检测单元。在该固态成像元件中，多个光电转换元件中的每一个对入射光进行光电转换以产生第一电信号。在固态成像元件中，检测单元检测多个光电转换元件中的每一个的第一电信号的变化量是否超过预定阈值，并输出指示检测结果的检测信号。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
20 条记录 (耗时 0.041 秒)
