Invention Publication
- Patent Title: 一种准垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED及其制作方法
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Application No.: CN201810182721.7Application Date: 2018-03-06
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Publication No.: CN108321271APublication Date: 2018-07-24
- Inventor: 王宏兴 , 刘璋成 , 赵丹 , 张明辉 , 王玮 , 问峰 , 卜忍安 , 侯洵
- Applicant: 西安交通大学
- Applicant Address: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee Address: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- Agency: 陕西增瑞律师事务所
- Agent 刘春
- Main IPC: H01L33/34
- IPC: H01L33/34 ; H01L33/64 ; H01L33/00
Abstract:
本发明公开了一种准垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED及其制作方法，其中，一种准垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED，包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底和p型硼高掺杂金刚石层，p型硼高掺杂金刚石层上方依次设置有i型碳化硅层、n型磷高掺杂金刚石层、欧姆接触电极和保护金属层，p型硼高掺杂金刚石层上方还依次设置有欧姆接触电极和保护金属层，解决了金刚石LED发光效率问题。
Public/Granted literature
- CN108321271B 一种准垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED及其制作方法 Public/Granted day:2024-07-26
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