一种基于飞秒激光直写制备相移光纤布拉格光栅的方法

    公开(公告)号:CN106291802B

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201610828553.5

    申请日:2016-09-18

    Abstract: 本发明提供了一种基于飞秒激光直写制备相移光纤布拉格光栅的方法,该方法利用聚焦的飞秒激光,在常规结构的光纤布拉格光栅的纤芯区域进行定点辐照或扫描,使常规结构的光纤布拉格光栅的纤芯区域内出现一个或多个折射率改变的区域,形成相移结构,即得到相移光纤布拉格光栅。与现有技术相比,该方法加工工序更为简单,加工速度快,适合于各种材料的光纤,可以实现0‑2π之间相移的精确控制。本发明方法制备的相移结构光纤布拉格光栅可用于传感、光纤激光器等领域。

    一种光纤透镜的飞秒激光加工方法

    公开(公告)号:CN110405354A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201910673089.0

    申请日:2019-07-24

    Abstract: 本发明公开了一种光纤透镜的飞秒激光加工方法,包括以下步骤:利用聚焦的飞秒激光在光纤上依照待制备透镜轮廓进行扫描,激光焦点辐照区域发生材料改性或者刻蚀去除;将处理后的光纤端面部分浸入氢氟酸溶液,通过对改性区域材料的选择腐蚀去除,使透镜轮廓外的光纤脱离形成光纤透镜原型;控制腐蚀时间,使获得的光纤透镜原型的表面趋向光滑,形成光纤透镜。本发明方法加工工序简单,制备光纤透镜的形貌灵活,加工中不存在热效应,可在光纤端面制备各种形貌的凸面和凹面光纤透镜,解决了现有制备方法中存在应力破坏和热烧蚀变形问题,可用于光纤传感、光纤激光器等领域等需要光纤耦合的领域。

    一种钙钛矿纳米晶及其全固态制备方法

    公开(公告)号:CN118146117A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202410328786.3

    申请日:2024-03-21

    Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿纳米晶及其全固态制备方法,该方法可以在Pb‑MOF表面制备出尺寸均一的钙钛矿纳米晶,荧光量子产率可与传统热注入法媲美,超过50%,并且可以通过卤素比例来改变荧光波长,实现蓝光钙钛矿到红光钙钛矿纳米晶的制备。本方法与传统的钙钛矿纳米晶全固态制备方法相比,全为固态反应,没有引入任何有机溶剂,可以方便的通过增加原料来实现大规模制备,而且没有加入表面配体,使得纳米晶具有优异的环境稳定性,可以在乙醇中和常规坏境中长时间稳定存在。

    一种皮秒碳化硅漂移阶跃恢复二极管

    公开(公告)号:CN113380874B

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202110579210.0

    申请日:2021-05-26

    Abstract: 本发明公开了一种皮秒碳化硅漂移阶跃恢复二极管,包括原胞结构,原胞结构自下而上依次包括N型欧姆接触电极、N型掺杂阴极区、N型掺杂Buffer层、P型基区、P型掺杂区、P型掺杂阳极区和P型欧姆接触电极,P型基区掺杂浓度为1*1015‑5*1016cm‑3、厚度为0.25μm‑1μm,通过采用高浓度掺杂P型基区,能够有效减小DSRD器件的开关时间和正向导通压降,厚度为0.25μm‑1μm,有效提高了二极管的击穿特性,P型基区与P型重掺杂阳极区之间为P型掺杂区,可以增加P型基区电离受主的数量以补偿其中的非平衡空穴,从而使少子在基区中积累,减小输出脉冲的“预脉冲”电压,进而减小器件的功率损耗。本发明使用的DSRD器件结构只需改变外延时的掺杂参数,无需开发新的工艺方法。

    一种钙钛矿/金属有机框架复合荧光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117327488A

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202311267146.8

    申请日:2023-09-27

    Abstract: 本发明属于纳米材料制备领域,提供了一种钙钛矿/金属有机框架复合荧光材料的制备方法,包括步骤:S1,碳酸铯加入到油酸溶液中,反应得到油酸铯前驱体溶液;S2,氢溴酸溶液加入到油胺溶液中,反应得到油胺溴前驱体溶液;S3,将所述油酸铯前驱体溶液、所述油胺溴前驱体溶液和Pb‑MOF粉末加入到有机惰性溶剂和油酸的分散液中,超声条件下充分反应,并震荡、离心、洗涤、干燥,得到钙钛矿纳米晶CsPbBr3@Pb‑MOF复合发光材料。本发明为合成高稳定性钙钛矿纳米晶引入了新的思路,实现了水中发光性能优异钙钛矿纳米晶的制备,极大扩展其潜在应用领域及加快商业化的进展。

    一种超耐高温光纤光栅温度传感器及信号解调方法

    公开(公告)号:CN114184301B

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202111355519.8

    申请日:2021-11-16

    Abstract: 本发明公开了一种超耐高温光纤光栅温度传感器及信号调解方法,包括基片、基管、盖片以及刻写有耐高温光纤光栅的光纤,所述基片上设置有凹槽,所述刻写有耐高温光纤光栅的光纤置于凹槽中,且耐高温光纤光栅两端的尾纤分别与基片的两端固定,所述基片设置于基管中,且基片的两端与基管的内壁固定,所述基管的外壁或内部设置有隔热层,所述基管的两端设置有盖片,且盖片上设置有用于出纤的孔。本发明先对耐高温FBG进行管式封装,并在基管内部或外部添加隔热层,以减缓传热速度,使传感器内部温度低于外界温度,同时配合一种信号解调方法,通过对传感器温升曲线进行拟合、求导等方法,在传感器内部与外界环境温度达到一致之前就推导得出待测温度。

    一种超耐高温光纤光栅温度传感器及信号解调方法

    公开(公告)号:CN114184301A

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202111355519.8

    申请日:2021-11-16

    Abstract: 本发明公开了一种超耐高温光纤光栅温度传感器及信号调解方法,包括基片、基管、盖片以及刻写有耐高温光纤光栅的光纤,所述基片上设置有凹槽,所述刻写有耐高温光纤光栅的光纤置于凹槽中,且耐高温光纤光栅两端的尾纤分别与基片的两端固定,所述基片设置于基管中,且基片的两端与基管的内壁固定,所述基管的外壁或内部设置有隔热层,所述基管的两端设置有盖片,且盖片上设置有用于出纤的孔。本发明先对耐高温FBG进行管式封装,并在基管内部或外部添加隔热层,以减缓传热速度,使传感器内部温度低于外界温度,同时配合一种信号解调方法,通过对传感器温升曲线进行拟合、求导等方法,在传感器内部与外界环境温度达到一致之前就推导得出待测温度。

    一种金刚石基多通道势垒调控场效应晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN109285894B

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN201811075622.5

    申请日:2018-09-14

    Abstract: 本发明公开了一种金刚石基多通道势垒调控场效应晶体管及其制备方法,包括金刚石衬底;在金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜;单晶金刚石外延薄膜上设置有台面区域;单晶金刚石外延薄膜上设置有刻蚀区域;台面区域内设置有多通道沟道区域和刻蚀区域;多通道沟道包括二维空穴气导电层;刻蚀区域包含氧、氟或氮终端;源电极和漏电极处于台面区域的两侧;栅电极设置在源电极和漏电极之间的多通道沟道区域和刻蚀区域上,且栅电极同时设置在单晶金刚石外延薄膜上的刻蚀区域上。本发明的晶体管器件能够获得常关型特性,且不会损伤导电沟道的性能,同时多通道结构也能够保证器件源漏之间的电流通过能力。

    一种耐高温超短腔分布反射式单频光纤激光器及其制作方法

    公开(公告)号:CN110829160A

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201910900462.1

    申请日:2019-09-23

    Abstract: 本发明公开了一种耐高温超短腔分布反射式单频光纤激光器及其制作方法,包括激光器泵浦源、有源光纤、刻写在有源光纤上的高反射率普通光纤布拉格光栅和倾斜光纤布拉格光栅、波分复用器、光隔离器,高反射率普通光纤布拉格光栅和倾斜光纤布拉格光栅分别作为谐振腔高反射率腔镜和输出腔镜,通过选择倾斜光纤布拉格光栅的倾角设定输出腔镜的反射率,高反射率普通光纤布拉格光栅和倾斜光纤布拉格光栅利用飞秒激光相位掩模法在有源光纤纤芯上分别通过垂直和倾斜扫描刻写而成。本发明可避免谐振腔中存在无源光纤,保证单频输出时高增益并最大限度减小谐振腔腔长,采用飞秒激光刻写可以适用于各种有源光纤且制备出的光纤激光器适用于550℃以内的高温环境。

    一种p型金刚石高低势垒肖特基二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN107369720B

    公开(公告)日:2019-12-24

    申请号:CN201710543596.3

    申请日:2017-07-05

    Abstract: 本发明公开一种p型金刚石高低势垒肖特基二极管及其制备方法,包括:包含金刚石衬底;金刚石衬底的一面设有金刚石外延层,另一面设有欧姆接触电极;金刚石外延层的表面形成有凸梁与沟道相间的微观结构;凸梁的表面形成有氧终端表面;氧终端表面上设有低势垒肖特基区域金属;金刚石外延层的微观结构中除凸梁表面的区域设有氟终端;低势垒肖特基区域金属和氟终端的表面形成一层高势垒肖特基区域金属。与现有技术相比,通过本发明,能够获得同时具有正向开启电压小、电流密度大、反向漏电流小、击穿电压高的肖特基二极管。

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