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公开(公告)号：CN118943204A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411043653.8
申请日：2024-07-31
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/165 , H01L29/16 , H01L29/10 , H01L21/336
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种改进的氢终端金刚石场效应晶体管及其制备方法；其中，所述改进的氢终端金刚石场效应晶体管中，单晶金刚石衬底上同质外延有单晶金刚石薄膜，单晶金刚石薄膜的表面形成有金刚石导电沟道；金刚石导电沟道的表面设有源电极和漏电极；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的金刚石导电沟道上沉积有介质层，介质层上设有栅电极；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的金刚石导电沟道之外的单晶金刚石薄膜裸露区域形成氧终端隔离区；金刚石导电沟道的表面为氢终端和锗终端的复合终端。本发明技术方案可解决氢终端金刚石场效应晶体管表面电导稳定性差、界面态密度高、载流子迁移率低的问题。
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公开(公告)号：CN118360586A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410477182.5
申请日：2024-04-19
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： C23C16/27 , C23C16/02 , C23C16/511 , C23C16/34 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/778 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/02
摘要： 本发明提供了一种GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜的方法，其包括以下步骤：S1，预处理；S2，保护性生长第一步：向所述生长腔室持续通入流量为300‑500sccm的H2，后设定微波功率＝2500‑3000W，腔室压力＝80‑90Torr；后通入CH4气体进行金刚石第一生长时间的生长，且气体流量之比H2:CH4＝100:6‑10；第一生长时间为10‑20min；S3，保护性生长第二步：再通入N2进行金刚石第二生长时间的生长，且气体流量之比H2:N2＝100:0.01‑0.04；第二生长时间为5‑15min；后停止通入N2；S4，后期稳定性生长：进入金刚石第三生长时间的生长；第三生长时间为50‑400min。本发明解决了现有技术中在GaN衬底上直接生长金刚石时容易对GaN衬底造成刻蚀损伤的问题，不仅实现了在GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜，而且金刚石膜质量高、界面结合较好且界面热阻较低。
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公开(公告)号：CN115995483A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211599409.0
申请日：2022-12-12
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述金刚石场效应晶体管包括：金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜设置有第一重掺杂金刚石薄膜区域和第二重掺杂金刚石薄膜区域；在第一重掺杂金刚石薄膜区域、第二重掺杂金刚石薄膜区域以及二者之间的单晶金刚石外延薄膜表面设置有氢终端区域，在其余外延薄膜表面设置有氧终端区域；源电极和漏电极均设置于沟道区域上；源电极、漏电极以及二者之间的沟道区域上设置有栅介质层，栅电极设置在栅介质层和氧终端区域上。本发明在单晶金刚石薄膜中形成重掺杂金刚石薄膜，可提高空穴的迁移率。
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公开(公告)号：CN112813497B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011637468.3
申请日：2020-12-31
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种自适应协同外延生长单晶金刚石辅助环，用于设置在单晶金刚石衬底外围一周，为异质外延结构，包括：自下而上逐层分布的非金刚石衬底、异质外延形核缓冲层和单晶金刚石形核层；单晶金刚石形核层的晶向与待生长的单晶金刚石面的晶向一致。利用金刚石辅助环与同质外延单晶金刚石协同生长，提高同质外延单晶金刚石生长质量。
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公开(公告)号：CN113467095A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110639970.6
申请日：2021-06-08
申请人： 西安交通大学
摘要： 本申请公开了一种非成像型激光匀质系统及匀质元件的制作方法，该激光匀质系统包括激光器、以及依次设置的小孔、扩束系统、匀质元件、匀质凸透镜、以及屏幕。匀质元件包括金属铱薄膜、以及制备于金属铱薄膜上的微透镜阵列，微透镜阵列采用金刚石衬底材料，金刚石衬底材料和金属铱薄膜通过共价键键合。该方法包括步骤：制备金属铱薄膜；在金属铱薄膜上直接生长单晶金刚石；将单晶金刚石样品研磨抛光；在单晶金刚石样品上制备微透镜阵列；本申请解决了现有技术中反射膜和衬底材料结合力较低，而导致激光匀质系统的损伤阈值低的问题。本发明的激光匀质系统对入射光的轮廓、相位等参数要求低，其结构简单，易操作，损伤阈值高。
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公开(公告)号：CN112813497A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011637468.3
申请日：2020-12-31
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种自适应协同外延生长单晶金刚石辅助环，用于设置在单晶金刚石衬底外围一周，为异质外延结构，包括：自下而上逐层分布的非金刚石衬底、异质外延形核缓冲层和单晶金刚石形核层；单晶金刚石形核层的晶向与待生长的单晶金刚石面的晶向一致。利用金刚石辅助环与同质外延单晶金刚石协同生长，提高同质外延单晶金刚石生长质量。
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公开(公告)号：CN110571310B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910890576.2
申请日：2019-09-20
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明公开了一种(100)取向n型单晶金刚石电极欧姆接触形成方法，解决了现有技术中(100)取向n型单晶金刚石欧姆制备难、比接触电阻率大的问题。该形成方法，包含以下步骤：步骤一、对(100)取向的n型单晶金刚石表面进行研磨抛光，以获得光滑表面；步骤二、利用MPCVD方法在所述n型单晶金刚石被研磨的表面生长一层n型单晶金刚石外延薄层，然后采用酸洗或者紫外臭氧处理将所述薄层表面氢终端转变成氧终端，得到样品A；步骤三、将氧化后的样品A置于退火炉中退火，使所述薄层表面的磷析出、碳原子重构，得到高导电金刚石表面；步骤四、在高导电金刚石表面镀上金属电极，置于退火炉中退火，形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN107369705B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201710547365.X
申请日：2017-07-06
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L29/45
摘要： 本发明公开了一种GaAs半导体表面欧姆接触电极及其制作方法，首先通过在GaAs半导体表面做接触电极，然后再在石英衬底上依次生成Cu层和Au层，将石英衬底上的Au层与GaAs上接触电极的接触层通过退火粘合封装在一起，然后抛光去除石英衬底，即可得到GaAs欧姆接触电极，通过在石英衬底上以铜层为过渡层，进行金层的制作，克服了金层与石英衬底难键和的问题，完成加厚金层的单独支座，克服了金层通过磁控溅射、真空蒸发方法很难制备出易于键合的微米级厚度的金层的问题，因此将加厚金层单独用电镀的方法来制作，通过本方法制作的GaAs接触电极使得器件可以非常容易地键合到电路中测试使用，器件可以工作在更高的温度，得到更好的器件性能表现。
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公开(公告)号：CN107331732B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201710547436.6
申请日：2017-07-06
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0312 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/09
摘要： 本发明公开了一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法，首先采用lift‑off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，然后在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和NiCr层，从而完成接触电极的制作，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，使衬底形成多电流通道的，采用多电流通道的方法来减小现有开关中出现的电流丝效应，电流丝效应是电流集中在局部区域，会使得该区域温度升高很多，从而导致开关热损坏，降低器件寿命；多电流通道将电流分散在开关中，减少了热集中，增加了光导开光的寿命；通过在SiC光导开关上设置多电流通道，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。
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公开(公告)号：CN110828557A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910943269.6
申请日：2019-09-30
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L29/45 , H01L21/28 , H01L31/0224 , H01L33/40 , H01S5/042
摘要： 本发明公开了一种p-GaN欧姆接触电极及其制备方法和应用，包括：p-GaN材料层，所述p-GaN材料层形成有重掺杂p-GaN层；所述重掺杂p-GaN层上形成有底层接触金属层，所述底层接触金属层上形成有上层盖帽金属层；其中，重掺杂p-GaN层中，Mg掺杂浓度≥1×1020cm-3。本发明的p-GaN欧姆接触电极，具有低比接触电阻率的欧姆接触特性。
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