一种可变带隙的AlCoCrFeNi高熵合金氧化物半导体薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。这种薄膜具有如下通式：(AlyCoCrFeNi)1‑xOx，x=0.3～0.7，y=0～1.0，磁控溅射靶材Al:Co:Cr:Fe:Ni的原子比为y:1:1:1:1；薄膜呈纳米晶或非晶态，整体氧化。通过调整x和y可使带隙宽度在2.20～4.20 eV区间、硬度在7～20 Gpa区间、电阻率在1×107～1×1019μΩ·cm区间连续变化，且在不同基体上生长的薄膜呈现透明或不同颜色。磁控溅射法制备薄膜方法成熟，可获得纳米晶或非晶态结构，整体氧化、薄膜均匀致密且表面平整。该薄膜灵活选择改变金属元素或改变氧分压来大范围调整，又可以带来性能（带隙宽度、硬度、电阻率、颜色等）的大范围调整，拓宽了薄膜的应用领域，可应用于光学、微电子器件、高硬耐磨及装饰薄膜等领域。