发明公开
CN108368640A 用于将过生长层施加至晶种层上的方法
无效 - 驳回
- 专利标题： 用于将过生长层施加至晶种层上的方法
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申请号： CN201580079657.4申请日： 2015-05-21
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公开(公告)号： CN108368640A公开(公告)日： 2018-08-03
- 发明人: G.克赖因德尔 , H.扎格尔迈尔 , M.艾贝胡贝尔
- 申请人： EV , 集团 , E·索尔纳有限责任公司
- 申请人地址： 奥地利圣弗洛里安
- 专利权人： EV,集团,E·索尔纳有限责任公司
- 当前专利权人： EV,集团,E·索尔纳有限责任公司
- 当前专利权人地址： 奥地利圣弗洛里安
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 段菊兰; 杨思捷
- 国际申请： PCT/EP2015/061251 2015.05.21
- 国际公布： WO2016/184523 DE 2016.11.24
- 进入国家日期： 2017-10-31
- 主分类号： C30B23/04
- IPC分类号： C30B23/04 ; C23C14/04 ; C23C16/04 ; C30B25/04 ; H01L21/027 ; G03F7/00
摘要：
本发明涉及一种将掩蔽的过生长层(14)施加至晶种层(2)上以用于生产半导体组件的方法，其特征在于将用于掩蔽所述过生长层(14)的掩模(6)压印至所述晶种层(2)上。
IPC分类:
