Invention Grant
- Patent Title: 一种大面积金红石相SnO2薄膜的低温制备方法及其应用
-
Application No.: CN201810195305.0Application Date: 2018-03-09
-
Publication No.: CN108389971BPublication Date: 2021-08-10
- Inventor: 王浩 , 张凯 , 万经树 , 段金霞 , 张军
- Applicant: 湖北大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
- Assignee: 湖北大学
- Current Assignee: 湖北大学
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
- Agency: 北京金智普华知识产权代理有限公司
- Agent 杨采良
- Main IPC: H01L51/42
- IPC: H01L51/42 ; H01L51/48

Abstract:
本发明涉及一种大面积金红石相SnO2薄膜的低温制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用。本发明的大面积SnO2薄膜是将干净的FTO放入浓度为0.02M~0.7M的四氯化锡溶液中,用70℃水浴2h后,再在70~200℃条件下退火1h制得。本发明方法操作简单,成本低,副产品少,对环境污染小,且制得的SnO2薄膜均匀致密,结晶性、增透性、导电性均较好。将本发明制得的SnO2薄膜应用于SnO2平面钙钛矿太阳能电池中的电子传输层,可明显提升电池的短路电流,电池的光电转换效率可以达到10%以上,因此,本发明制得的大面积金红石相SnO2薄膜具有良好的应用前景,可有效应用于平面钙钛矿太阳能电池中。
Public/Granted literature
- CN108389971A 一种大面积金红石相SnO2薄膜的低温制备方法及其应用 Public/Granted day:2018-08-10
Information query
IPC分类: