-
公开(公告)号：CN113643741B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202110939199.4
申请日：2021-08-16
Abstract: 本发明提供了一种基于1S1R的逻辑运算单元及运算方法，属于存储器存内计算技术领域；现有技术中存内计算单元结构复杂和运行稳定性不足；本发明提供了一种基于1S1R的逻辑运算单元，从下至上依次包括底电极层、选通管层、阻变存储器层和顶电极层，其性能稳定，功耗低，可实现16种逻辑运算。
-
公开(公告)号：CN109920649A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910266464.X
申请日：2019-04-03
Applicant: 湖北大学
IPC: H01G9/20 , H01G9/042 , C01G23/053 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一维超长TiO2纳米棒阵列及其制备方法和在染料敏化太阳能电池中的应用。本发明采用支架法固定多片导电基底在一个反应釜量产多片高度均一的TiO2纳米棒阵列，结合马弗炉程控重结晶退火有效解决了一维TiO2纳米棒阵列易与导电基底脱落和不易水热量产的难题，同时结合支架法对所得TiO2纳米棒阵列进行水热刻蚀，有效解决了一维TiO2纳米棒阵列比表面积小和染料吸附量不足等问题。本发明获得的TiO2纳米棒阵列表现出优异的电子传输能力和染料吸附能力，将其应用在染料敏化太阳能电池中获得了11.14％的光电转化效率，为稳定量产制备基于一维TiO2纳米棒阵列光阳极的高效率染料敏化太阳能电池提供了可能。
-
公开(公告)号：CN109638164B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201811543868.0
申请日：2018-12-17
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种水处理SnO2薄膜及其钙钛矿太阳能电池的制备方法。本发明的水处理SnO2薄膜的制备步骤为：在导电基底表面旋涂一层去离子水，接着旋涂一层SnO2胶体水溶液，并在70～200℃条件下退火30min制得。本发明的钙钛矿太阳能电池是在水处理SnO2薄膜表面旋涂钙钛矿溶液，经退火处理，得到钙钛矿薄膜，再在钙钛矿薄膜表面依次旋涂空穴传输层和蒸镀金属电极。本发明制备工艺简单，环境友好，成本低廉，稳定性好，制得的SnO2薄膜表现出优异的致密性和平整性，同时将其应用在正型平面三元混合钙钛矿电池中获得了21.39％的光电转化效率，为低成本制备平面钙钛矿太阳能电池走向商业化提供了可能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113643741A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110939199.4
申请日：2021-08-16
Abstract: 本发明提供了一种基于1S1R的逻辑运算单元及运算方法，属于存储器存内计算技术领域；现有技术中存内计算单元结构复杂和运行稳定性不足；本发明提供了一种基于1S1R的逻辑运算单元，从下至上依次包括底电极层、选通管层、阻变存储器层和顶电极层，其性能稳定，功耗低，可实现16种逻辑运算。
-
公开(公告)号：CN109920649B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201910266464.X
申请日：2019-04-03
Applicant: 湖北大学
IPC: H01G9/20 , H01G9/042 , C01G23/053 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一维超长TiO2纳米棒阵列及其制备方法和在染料敏化太阳能电池中的应用。本发明采用支架法固定多片导电基底在一个反应釜量产多片高度均一的TiO2纳米棒阵列，结合马弗炉程控重结晶退火有效解决了一维TiO2纳米棒阵列易与导电基底脱落和不易水热量产的难题，同时结合支架法对所得TiO2纳米棒阵列进行水热刻蚀，有效解决了一维TiO2纳米棒阵列比表面积小和染料吸附量不足等问题。本发明获得的TiO2纳米棒阵列表现出优异的电子传输能力和染料吸附能力，将其应用在染料敏化太阳能电池中获得了11.14％的光电转化效率，为稳定量产制备基于一维TiO2纳米棒阵列光阳极的高效率染料敏化太阳能电池提供了可能。
-
公开(公告)号：CN108389971B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201810195305.0
申请日：2018-03-09
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明涉及一种大面积金红石相SnO2薄膜的低温制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用。本发明的大面积SnO2薄膜是将干净的FTO放入浓度为0.02M～0.7M的四氯化锡溶液中，用70℃水浴2h后，再在70～200℃条件下退火1h制得。本发明方法操作简单，成本低，副产品少，对环境污染小，且制得的SnO2薄膜均匀致密，结晶性、增透性、导电性均较好。将本发明制得的SnO2薄膜应用于SnO2平面钙钛矿太阳能电池中的电子传输层，可明显提升电池的短路电流，电池的光电转换效率可以达到10％以上，因此，本发明制得的大面积金红石相SnO2薄膜具有良好的应用前景，可有效应用于平面钙钛矿太阳能电池中。
-
公开(公告)号：CN109638164A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811543868.0
申请日：2018-12-17
Applicant: 湖北大学
CPC classification number: H01L51/422 , H01L51/0003
Abstract: 本发明公开了一种水处理SnO2薄膜及其钙钛矿太阳能电池的制备方法。本发明的水处理SnO2薄膜的制备步骤为：在导电基底表面旋涂一层去离子水，接着旋涂一层SnO2胶体水溶液，并在70～200℃条件下退火30min制得。本发明的钙钛矿太阳能电池是在水处理SnO2薄膜表面旋涂钙钛矿溶液，经退火处理，得到钙钛矿薄膜，再在钙钛矿薄膜表面依次旋涂空穴传输层和蒸镀金属电极。本发明制备工艺简单，环境友好，成本低廉，稳定性好，制得的SnO2薄膜表现出优异的致密性和平整性，同时将其应用在正型平面三元混合钙钛矿电池中获得了21.39％的光电转化效率，为低成本制备平面钙钛矿太阳能电池走向商业化提供了可能。
-
公开(公告)号：CN108389971A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810195305.0
申请日：2018-03-09
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明涉及一种大面积金红石相SnO2薄膜的低温制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用。本发明的大面积SnO2薄膜是将干净的FTO放入浓度为0.02M～0.7M的四氯化锡溶液中，用70℃水浴2h后，再在70～200℃条件下退火1h制得。本发明方法操作简单，成本低，副产品少，对环境污染小，且制得的SnO2薄膜均匀致密，结晶性、增透性、导电性均较好。将本发明制得的SnO2薄膜应用于SnO2平面钙钛矿太阳能电池中的电子传输层，可明显提升电池的短路电流，电池的光电转换效率可以达到10％以上，因此，本发明制得的大面积金红石相SnO2薄膜具有良好的应用前景，可有效应用于平面钙钛矿太阳能电池中。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.019 seconds)
