摘要:
本发明公开了一种微波辅助的磁电阻增强器件及其制备方法,包括由保护层、第一铁磁层、半导体层、第二铁磁层、保护层组成的层状薄膜,其材料依次为Cr、Fe、GaAs、NiFe、Cr;通过上下两侧电极通入高频微波后,沿平行于层状薄膜的磁场方向施加大于Fe、NiFe矫顽力的外加磁场,使得两个铁磁层的磁矩方向一致,此时层状薄膜处于低电阻状态;接着反向施加大于NiFe矫顽力、小于Fe矫顽力的外加磁场,使得两个铁磁层的磁矩方向相反,此时层状薄膜处于高电阻状态。本发明在器件两端制备电极并通入高频微波加以辅助,通过改变外加磁场实现整个器件的高电阻、低电阻状态转换,其电阻变化率可达到40%,且制备工艺简单,成本较低。
公开/授权文献
- CN108493335B 一种微波辅助的磁电阻增强器件及其制备方法 公开/授权日:2024-04-09
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