发明公开
- 专利标题： 集成电路器件及其制造方法
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申请号： CN201810076683.7申请日： 2018-01-26
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公开(公告)号： CN108573949A公开(公告)日： 2018-09-25
- 发明人: 金永培 , 朴水贤 , 安商燻 , 李义福 , 姜成进 , 徐训硕 , 吴赫祥 , 李禹镇
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 张波
- 优先权： 10-2017-0029610 2017.03.08 KR
- 主分类号： H01L23/522
- IPC分类号： H01L23/522 ; H01L21/768
摘要：
本申请涉及一种集成电路器件及其制造方法。一种集成电路(IC)器件包括具有下金属膜的下布线结构。下布线结构穿透设置在衬底之上的第一绝缘膜的至少一部分。IC器件还包括覆盖下金属膜的顶表面的盖层、覆盖该盖层的第二绝缘膜、穿透第二绝缘膜和盖层并电连接到下金属膜的上布线结构、以及设置在下金属膜与第二绝缘膜之间的空气间隙。空气间隙具有由盖层与上布线结构之间的距离限定的宽度。
公开/授权文献
- CN108573949B 集成电路器件及其制造方法 公开/授权日：2022-04-05