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公开(公告)号：CN108573949B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201810076683.7
申请日：2018-01-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
摘要： 本申请涉及一种集成电路器件及其制造方法。一种集成电路(IC)器件包括具有下金属膜的下布线结构。下布线结构穿透设置在衬底之上的第一绝缘膜的至少一部分。IC器件还包括覆盖下金属膜的顶表面的盖层、覆盖该盖层的第二绝缘膜、穿透第二绝缘膜和盖层并电连接到下金属膜的上布线结构、以及设置在下金属膜与第二绝缘膜之间的空气间隙。空气间隙具有由盖层与上布线结构之间的距离限定的宽度。
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公开(公告)号：CN108573949A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810076683.7
申请日：2018-01-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
摘要： 本申请涉及一种集成电路器件及其制造方法。一种集成电路(IC)器件包括具有下金属膜的下布线结构。下布线结构穿透设置在衬底之上的第一绝缘膜的至少一部分。IC器件还包括覆盖下金属膜的顶表面的盖层、覆盖该盖层的第二绝缘膜、穿透第二绝缘膜和盖层并电连接到下金属膜的上布线结构、以及设置在下金属膜与第二绝缘膜之间的空气间隙。空气间隙具有由盖层与上布线结构之间的距离限定的宽度。
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公开(公告)号：CN113629037A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110120166.7
申请日：2021-01-28
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/535 , H01L23/48 , H01L29/78 , H01L27/02
摘要： 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：晶体管，位于基底上；第一层间绝缘层，位于晶体管上；下互连线，位于第一层间绝缘层的上部中；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层和下互连线上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；上互连线，位于第二层间绝缘层中，上互连线包括穿透蚀刻停止层以接触下互连线的通路部分；蚀刻停止图案，位于蚀刻停止层上并且与通路部分的第一侧壁接触。第二层间绝缘层在蚀刻停止图案和蚀刻停止层的其上没有蚀刻停止图案的顶表面上延伸。蚀刻停止图案的介电常数比蚀刻停止层的介电常数高。
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公开(公告)号：CN108573916B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201810124015.7
申请日：2018-02-07
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括金属膜和覆盖金属膜的顶表面的复合盖层。金属膜包含第一金属，并穿过形成在基板之上的绝缘膜的至少一部分。复合盖层包括覆盖金属膜的顶表面的导电合金盖层以及覆盖导电合金盖层的顶表面和绝缘膜的顶表面的绝缘盖层。导电合金盖层包含半导体元素和不同于第一金属的第二金属。绝缘盖层包含第三金属。
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公开(公告)号：CN109786357A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811292012.0
申请日：2018-10-31
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
摘要： 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括下布线；第一层间绝缘膜，设置在所述衬底上并且包括第一区域以及在所述第一区域上方的第二区域；蚀刻停止膜，位于所述第一层间绝缘膜上；第二层间绝缘膜，位于所述蚀刻停止膜上；第一上布线，位于所述第二层间绝缘膜、所述蚀刻停止膜、以及所述第一层间绝缘膜的所述第二区域中，并且所述第一上布线与所述下布线间隔开；以及通孔，位于所述第一层间绝缘膜的所述第一区域中，并且所述通孔将所述下布线与所述第一上布线相连。
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公开(公告)号：CN108573916A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810124015.7
申请日：2018-02-07
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括金属膜和覆盖金属膜的顶表面的复合盖层。金属膜包含第一金属，并穿过形成在基板之上的绝缘膜的至少一部分。复合盖层包括覆盖金属膜的顶表面的导电合金盖层以及覆盖导电合金盖层的顶表面和绝缘膜的顶表面的绝缘盖层。导电合金盖层包含半导体元素和不同于第一金属的第二金属。绝缘盖层包含第三金属。
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公开(公告)号：CN109390273B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201810869383.4
申请日：2018-08-02
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括下布线；蚀刻停止层，在衬底上；层间绝缘层，在蚀刻停止层上；上布线，设置在层间绝缘层中并与下布线分开；以及通路，形成在层间绝缘层和蚀刻停止层中并将下布线与上布线连接，其中通路包括在蚀刻停止层中的第一部分和在层间绝缘层中的第二部分，以及其中通路的第一部分的侧壁包括阶梯构造。
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公开(公告)号：CN115692375A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210865237.0
申请日：2022-07-21
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/532 , H01L23/528 , H01L23/48 , H01L21/768
摘要： 公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：基底，具有有源区；第一绝缘层，在基底上；第二绝缘层，在第一绝缘层上；蚀刻停止层，在第一绝缘层与第二绝缘层之间；过孔触点，在第一绝缘层中，并且电连接到有源区；互连电极，在第二绝缘层中，并且电连接到过孔触点；导电阻挡层，在互连电极的侧表面和下表面上，并且具有延伸到过孔触点的侧表面的部分区域的延伸部；以及侧绝缘层，在导电阻挡层的延伸部下方在过孔触点的侧区域上，侧绝缘层包括与蚀刻停止层的材料相同的材料。
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公开(公告)号：CN109390273A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810869383.4
申请日：2018-08-02
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括下布线；蚀刻停止层，在衬底上；层间绝缘层，在蚀刻停止层上；上布线，设置在层间绝缘层中并与下布线分开；以及通路，形成在层间绝缘层和蚀刻停止层中并将下布线与上布线连接，其中通路包括在蚀刻停止层中的第一部分和在层间绝缘层中的第二部分，以及其中通路的第一部分的侧壁包括阶梯构造。
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