本申请案涉及导电组件及存储器组合件。一些实施例包含一种存储器组合件，其具有紧接于导电源极的存储器单元。沟道材料沿所述存储器单元延伸且与所述导电源极电耦合。所述导电源极在绝缘材料上方且包含直接靠着所述绝缘材料的粘着材料。所述粘着材料包括金属、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、金属硅化物、金属碳化物、金属氧化物、金属氮氧化物及金属氮化物中的一或多者。所述导电源极包含在所述粘着材料上方且直接靠着所述粘着材料的含金属材料。所述含金属材料基本上由金属组成。所述导电源极包含在所述含金属材料上方且直接靠着所述含金属材料的含金属及氮材料，且包含在所述含金属及氮材料上方的导电掺杂半导体材料。