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公开(公告)号：CN112397520B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202010810979.4
申请日：2020-08-13
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L21/768
摘要： 本申请涉及一种包括包含触点通孔及导电线的结构的设备、相关方法及存储器装置。所述设备包括结构，所述结构包含上覆于下部绝缘材料的上部绝缘材料、下伏于所述下部绝缘材料的导电元件，及包括金属线及触点的导电材料。所述导电材料从所述上部绝缘材料的上部表面延伸到所述导电元件的上部表面。所述结构还包括邻近所述金属线的衬里材料。在所述触点外部的所述金属线的所述导电材料的最上表面的宽度相对小于所述触点的所述导电材料的最上表面的宽度。
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公开(公告)号：CN108573975B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201810195278.7
申请日：2018-03-09
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/11524
摘要： 本申请案涉及导电组件及存储器组合件。一些实施例包含一种存储器组合件，其具有紧接于导电源极的存储器单元。沟道材料沿所述存储器单元延伸且与所述导电源极电耦合。所述导电源极在绝缘材料上方且包含直接靠着所述绝缘材料的粘着材料。所述粘着材料包括金属、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、金属硅化物、金属碳化物、金属氧化物、金属氮氧化物及金属氮化物中的一或多者。所述导电源极包含在所述粘着材料上方且直接靠着所述粘着材料的含金属材料。所述含金属材料基本上由金属组成。所述导电源极包含在所述含金属材料上方且直接靠着所述含金属材料的含金属及氮材料，且包含在所述含金属及氮材料上方的导电掺杂半导体材料。
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公开(公告)号：CN112397520A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010810979.4
申请日：2020-08-13
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L21/768
摘要： 本申请涉及一种包括包含触点通孔及导电线的结构的设备、相关方法及存储器装置。所述设备包括结构，所述结构包含上覆于下部绝缘材料的上部绝缘材料、下伏于所述下部绝缘材料的导电元件，及包括金属线及触点的导电材料。所述导电材料从所述上部绝缘材料的上部表面延伸到所述导电元件的上部表面。所述结构还包括邻近所述金属线的衬里材料。在所述触点外部的所述金属线的所述导电材料的最上表面的宽度相对小于所述触点的所述导电材料的最上表面的宽度。
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公开(公告)号：CN115497950A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211246360.0
申请日：2020-08-13
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L21/768
摘要： 本申请涉及包括包含触点通孔及导电线的结构的设备和相关方法。所述设备包括结构，所述结构包含上覆于下部绝缘材料的上部绝缘材料、下伏于所述下部绝缘材料的导电元件，及包括金属线及触点的导电材料。所述导电材料从所述上部绝缘材料的上部表面延伸到所述导电元件的上部表面。所述结构还包括邻近所述金属线的衬里材料。在所述触点外部的所述金属线的所述导电材料的最上表面的宽度相对小于所述触点的所述导电材料的最上表面的宽度。
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公开(公告)号：CN108573975A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810195278.7
申请日：2018-03-09
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/11524
摘要： 本申请案涉及导电组件及存储器组合件。一些实施例包含一种存储器组合件，其具有紧接于导电源极的存储器单元。沟道材料沿所述存储器单元延伸且与所述导电源极电耦合。所述导电源极在绝缘材料上方且包含直接靠着所述绝缘材料的粘着材料。所述粘着材料包括金属、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、金属硅化物、金属碳化物、金属氧化物、金属氮氧化物及金属氮化物中的一或多者。所述导电源极包含在所述粘着材料上方且直接靠着所述粘着材料的含金属材料。所述含金属材料基本上由金属组成。所述导电源极包含在所述含金属材料上方且直接靠着所述含金属材料的含金属及氮材料，且包含在所述含金属及氮材料上方的导电掺杂半导体材料。
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