本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构的制作方法包含提供一基底，在基底上形成焊垫金属以及熔丝金属，然后形成衬层以及蚀刻停止层至少覆盖熔丝金属的顶面，在基底上形成介电层与钝化层，再于钝化层中定义出焊垫开口和熔丝开口，进行第一蚀刻步骤自焊垫开口以及熔丝开口移除暴露的介电层直到焊垫金属的顶面以及蚀刻停止层的表面分别自焊垫开口以及熔丝开口暴露出来，再进行第二蚀刻步骤，自熔丝开口移除暴露的蚀刻停止层直到暴露出衬层的一表面。