- 专利标题: 近紫外激发的双钙钛矿单基质白光荧光材料及制备与应用
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申请号: CN201810622237.1申请日: 2018-06-15
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公开(公告)号: CN108659827B公开(公告)日: 2020-07-10
- 发明人: 唐江 , 胡青松 , 牛广达 , 罗家俊 , 李顺然 , 刘婧 , 张成
- 申请人: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学,深圳华中科技大学研究院
- 当前专利权人: 华中科技大学,深圳华中科技大学研究院
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 许恒恒; 李智
- 主分类号: C09K11/62
- IPC分类号: C09K11/62 ; C09K11/85 ; H01L33/50 ; H01L33/56
摘要:
本发明公开了一种近紫外激发的双钙钛矿单基质白光荧光材料及制备与应用,该双钙钛矿材料的化学式满足A2B1‑xCxB′1‑yLnyX6,其中,A、B和C为正一价阳离子或者阳离子基团中的一种或几种的组合,A、B、C三者互不相同;B′为Al、Bi、In正三价阳离子或者阳离子基团中的一种或几种的组合;Ln为正三价的各种稀土元素中的一种或几种的组合。双钙钛矿材料尤其可作为白光荧光材料的应用。本发明通过对双钙钛矿中的两类B位元素的组成进行改进,将部分B被C取代,部分B′被稀土元素Ln取代,并通过控制取代对应的摩尔分数x、y,对应得到的近紫外激发的双钙钛矿单基质白光荧光材料与YAG:Ce3+相比发射光谱范围更宽、制备简单,尤其适用于白光LED器件中。
公开/授权文献
- CN108659827A 近紫外激发的双钙钛矿单基质白光荧光材料及制备与应用 公开/授权日:2018-10-16