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公开(公告)号：CN108807692A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810557570.9
申请日：2018-06-01
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种抑制钙钛矿探测器暗电流的方法，该方法是通过向钙钛矿材料中掺杂痕量的高价阳离子，该高价阳离子的价态高于钙钛矿ABX3结构中的B位元素的价态，这些高价阳离子与钙钛矿材料中所含的B位元素两者的原子比不高于10‑5：1，从而降低钙钛矿材料的载流子浓度，并降低以该钙钛矿材料作为活性材料的探测器的暗电流。本发明通过控制掺杂元素的种类，尤其通过对掺杂元素浓度的调控，向钙钛矿活性层材料中掺杂痕量的高价阳离子，能够有效解决现有技术钙钛矿探测器中存在的暗电流高和灵敏度低的问题，并解决灵敏度、工作偏压、稳定性和环境污染等指标不能兼顾的问题，获得高性能、稳定的半导体探测器。
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公开(公告)号：CN109054814A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811053118.5
申请日：2018-09-10
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种紫外激发白光多元非铅钙钛矿荧光粉及其制备方法，该荧光粉具有钙钛矿结构，其化学式满足A2B1xB21‑xB3yB41‑yX1mX2nX36‑m‑n，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0＜m≤6，0＜n≤6，0≤6‑m‑n≤6；此外，A为Cs+；B1、B2、B3、B4分别为Na+、Ag+、In3+、Bi3+；X1、X2、X3分别为F‑、Cl‑、Br‑。本发明通过对多元非铅钙钛矿荧光粉关键的组成，相应制备方法的整体流程工艺设置以及各个步骤所采用的参数条件进行改进，与现有技术相比能够有效扩展了近紫外激发的单一基质荧光粉其种类，实现了激发光谱和吸收光谱连续可调的功能，实现了对LED发光色温的调节。
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公开(公告)号：CN108659827A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810622237.1
申请日：2018-06-15
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发的双钙钛矿单基质白光荧光材料及制备与应用，该双钙钛矿材料的化学式满足A2B1-xCxB′1-yLnyX6，其中，A、B和C为正一价阳离子或者阳离子基团中的一种或几种的组合，A、B、C三者互不相同；B′为Al、Bi、In正三价阳离子或者阳离子基团中的一种或几种的组合；Ln为正三价的各种稀土元素中的一种或几种的组合。双钙钛矿材料尤其可作为白光荧光材料的应用。本发明通过对双钙钛矿中的两类B位元素的组成进行改进，将部分B被C取代，部分B′被稀土元素Ln取代，并通过控制取代对应的摩尔分数x、y，对应得到的近紫外激发的双钙钛矿单基质白光荧光材料与YAG:Ce3+相比发射光谱范围更宽、制备简单，尤其适用于白光LED器件中。
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公开(公告)号：CN108807692B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201810557570.9
申请日：2018-06-01
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种抑制钙钛矿探测器暗电流的方法，该方法是通过向钙钛矿材料中掺杂痕量的高价阳离子，该高价阳离子的价态高于钙钛矿ABX3结构中的B位元素的价态，这些高价阳离子与钙钛矿材料中所含的B位元素两者的原子比不高于10‑5：1，从而降低钙钛矿材料的载流子浓度，并降低以该钙钛矿材料作为活性材料的探测器的暗电流。本发明通过控制掺杂元素的种类，尤其通过对掺杂元素浓度的调控，向钙钛矿活性层材料中掺杂痕量的高价阳离子，能够有效解决现有技术钙钛矿探测器中存在的暗电流高和灵敏度低的问题，并解决灵敏度、工作偏压、稳定性和环境污染等指标不能兼顾的问题，获得高性能、稳定的半导体探测器。
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公开(公告)号：CN109054814B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201811053118.5
申请日：2018-09-10
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种紫外激发白光多元非铅钙钛矿荧光粉及其制备方法，该荧光粉具有钙钛矿结构，其化学式满足A2B1xB21‑xB3yB41‑yX1mX2nX36‑m‑n，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0＜m≤6，0＜n≤6，0≤6‑m‑n≤6；此外，A为Cs+；B1、B2、B3、B4分别为Na+、Ag+、In3+、Bi3+；X1、X2、X3分别为F‑、Cl‑、Br‑。本发明通过对多元非铅钙钛矿荧光粉关键的组成，相应制备方法的整体流程工艺设置以及各个步骤所采用的参数条件进行改进，与现有技术相比能够有效扩展了近紫外激发的单一基质荧光粉其种类，实现了激发光谱和吸收光谱连续可调的功能，实现了对LED发光色温的调节。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108659827B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201810622237.1
申请日：2018-06-15
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发的双钙钛矿单基质白光荧光材料及制备与应用，该双钙钛矿材料的化学式满足A2B1‑xCxB′1‑yLnyX6，其中，A、B和C为正一价阳离子或者阳离子基团中的一种或几种的组合，A、B、C三者互不相同；B′为Al、Bi、In正三价阳离子或者阳离子基团中的一种或几种的组合；Ln为正三价的各种稀土元素中的一种或几种的组合。双钙钛矿材料尤其可作为白光荧光材料的应用。本发明通过对双钙钛矿中的两类B位元素的组成进行改进，将部分B被C取代，部分B′被稀土元素Ln取代，并通过控制取代对应的摩尔分数x、y，对应得到的近紫外激发的双钙钛矿单基质白光荧光材料与YAG:Ce3+相比发射光谱范围更宽、制备简单，尤其适用于白光LED器件中。
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公开(公告)号：CN117966248A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311837663.4
申请日：2023-12-28
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: C30B7/14
Abstract: 本申请涉及一种溶液法晶体生长的方法及其装置、晶体，所述方法包括：将置于补料区的第一前驱体溶液流入缓冲区进行缓冲，以使所述第一前驱体溶液的温度得到缓冲；将置于生长区的第二前驱体溶液进行晶体生长，且同时所述缓冲区中的第一前驱体溶液不断流入所述生长区，以及同时所述生长区的第二前驱体溶液中的生长完的溶液流入回收区，以使所述生长区的第二前驱体溶液中的晶体体系处于一致稳态中，得到形貌规整的晶体。本申请内容解决了现有溶液法晶体生长而导致晶体偏析的技术问题。
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公开(公告)号：CN117926422A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410089684.0
申请日：2024-01-23
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种金属卤化物单晶及其制备方法、半导体材料、快中子直接探测器，所述金属卤化物单晶的化学式为(C10H26N2)4Pb3I14，所述金属卤化物单晶的晶体结构为零维结构，由有机阳离子(C10H26N2)2+和无机结构单元[Pb3I12]6‑组成，同时含有两个游离的I‑离子；其中，三个共面连接的Pb‑I八面体组成一个孤立的零维结构单元，(C10H26N2)2+位于任意两个无机结构单元[Pb3I12]6‑形成的空隙中。该金属卤化物材料由于其较高的氢原子密度而充当快中子敏感材料，同时充当产生电信号的半导体材料，可以将入射中子的能量转换为易于测量的电脉冲信号，进而实现直接探测。
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公开(公告)号：CN117843849A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410063494.1
申请日：2024-01-16
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: C08F212/08 , C08F212/32 , C08F2/02 , C08F212/12 , G01T1/203
Abstract: 本发明公开了一种有机塑料闪烁体及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：称取塑料单体、闪烁物质和引发剂置于密闭瓶中；溶解密闭瓶中的物质并混合均匀；将所述密闭瓶中物质进行缓慢变温聚合反应，聚合反应完成后得到有机塑料闪烁体。本方法采用缓慢变温聚合法避免了传统溶剂挥发法制备过程中产生大量的气泡导致闪烁体出光性差的问题，保证了塑料闪烁体的高均匀性和高透明度。此外，本方法原料成本低、操作简单且低温可控，制备的塑料闪烁体性能优异，其具有大尺寸、高透明度、高均一性、短寿命和高光产额的优势，打破了传统闪烁体所遇到的瓶颈问题，在超快辐射探测领域展现了极大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN112531116B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202011283052.6
申请日：2020-11-16
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿超快X射线探测器，自上至下依次包括：金属电极、电子传输层；钙钛矿材料层、空穴传输层和衬底层；其中，X射线从所述探测器的一侧入射，并在钙钛矿材料层中产生电子空穴对，工作电压施加在衬底层，产生电信号，并通过所述金属电极输出，本发明提供了一种钙钛矿超快X射线探测器，X射线斜向入射到钙钛矿材料层，可以在设计钙钛矿材料层时，减小其厚度，以提高响应速度，满足对响应速度要求较高的CT应用要求，本发明提供的钙钛矿超快X射线探测器制备方法，给出了钙钛矿超快X射线探测器的制备方法，保证探测器的使用稳定性，层间形成有效接触。
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