发明授权
- 专利标题: Nd-Fe-B磁性纳米线阵列的制备方法
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申请号: CN201810566689.2申请日: 2018-06-05
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公开(公告)号: CN108660487B公开(公告)日: 2020-08-25
- 发明人: 崔春翔 , 康立丛 , 杨薇 , 丁贺伟 , 曹斌
- 申请人: 河北工业大学
- 申请人地址: 天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院330#
- 专利权人: 河北工业大学
- 当前专利权人: 河北工业大学
- 当前专利权人地址: 天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院330#
- 代理机构: 北京劲创知识产权代理事务所
- 代理商 张铁兰
- 主分类号: C25D1/00
- IPC分类号: C25D1/00 ; C25D11/12 ; C25D11/24 ; B82Y40/00
摘要:
本发明为一种Nd‑Fe‑B磁性纳米线阵列的制备方法。该方法包括以下步骤:将氯化钕(NdCl3·6H2O)、氯化亚铁(FeCl2·4H2O)、硼酸(H3BO3)和去离子水混合,配制得到NdFeB合金溶液;再加入络合剂,得到沉积液;其中,络合剂为甘氨酸(NH2CH2COOH)、氯化铵(NH4Cl)和抗坏血酸(C6H8O6);以石墨为阳极,AAO模板为阴极,以上一步制得的Nd‑Fe‑B沉积液为电解液,利用直流稳压电源,进行电化学沉积,最后得到Nd‑Fe‑B三元合金磁性纳米线。本发明所得纳米线数量巨大,沉积率高,纳米线平行排列,高度有序,线径均一,长径比很大。
公开/授权文献
- CN108660487A Nd-Fe-B磁性纳米线阵列的制备方法 公开/授权日:2018-10-16