Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体的制备方法

    公开(公告)号:CN102403117A

    公开(公告)日:2012-04-04

    申请号:CN201110301649.3

    申请日:2011-10-09

    摘要: 本发明Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体的制备方法,涉及含稀土金属和磁性过渡金属的硬磁材料的磁体,所说的Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体的元素组成式为SmxCoyFezZruBvQw,式中限定元素组成范围的符号以原子百分比计满足:x+y+z+u+v+w=100,x=9.0~14.0,y=45.0~70.5,z=2.8~18.4,u=1.1~7.0,v=3.8~19.0,w=1.0~21.2,Q是由Nb、Al、Si、Cu和C中的1~4种元素组成,采用离心快淬甩带技术制备,由此制得的Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体具有高的室温内禀矫顽力、高耐腐蚀性和高强度的优点。

    Nd-Fe-B磁性纳米线阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN108660487A

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:CN201810566689.2

    申请日:2018-06-05

    摘要: 本发明为一种Nd-Fe-B磁性纳米线阵列的制备方法。该方法包括以下步骤:将氯化钕(NdCl3·6H2O)、氯化亚铁(FeCl2·4H2O)、硼酸(H3BO3)和去离子水混合,配制得到NdFeB合金溶液;再加入络合剂,得到沉积液;其中,络合剂为甘氨酸(NH2CH2COOH)、氯化铵(NH4Cl)和抗坏血酸(C6H8O6);以石墨为阳极,AAO模板为阴极,以上一步制得的Nd-Fe-B沉积液为电解液,利用直流稳压电源,进行电化学沉积,最后得到Nd-Fe-B三元合金磁性纳米线。本发明所得纳米线数量巨大,沉积率高,纳米线平行排列,高度有序,线径均一,长径比很大。

    Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z型合金薄带磁体的制备方法

    公开(公告)号:CN101620928B

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:CN200910069267.5

    申请日:2009-06-15

    摘要: 本发明Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z型合金薄带磁体的制备方法,涉及含稀土金属和磁性过渡金属的硬磁材料的磁体,步骤是:把化学组成式表示为Sm(CoxCuyFeuZrv)z的熔体,通过熔体快淬炉或真空熔炼快淬连续炉在以5~40m/s的圆周速度旋转的冷却钼辊轮或铜辊轮上进行熔体快淬,由此制得Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z型熔体薄带,将该熔体薄带破碎成粉末,然后在大于1T的磁场中压制成块体,再在冷等静压机中致密化,最后进行热处理,本发明方法提供了三种热处理工艺,由此得到具有不同特性的实用的块状的Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z型合金薄带磁体。

    Nd-Fe-B磁性纳米线阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN108660487B

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN201810566689.2

    申请日:2018-06-05

    摘要: 本发明为一种Nd‑Fe‑B磁性纳米线阵列的制备方法。该方法包括以下步骤:将氯化钕(NdCl3·6H2O)、氯化亚铁(FeCl2·4H2O)、硼酸(H3BO3)和去离子水混合,配制得到NdFeB合金溶液;再加入络合剂,得到沉积液;其中,络合剂为甘氨酸(NH2CH2COOH)、氯化铵(NH4Cl)和抗坏血酸(C6H8O6);以石墨为阳极,AAO模板为阴极,以上一步制得的Nd‑Fe‑B沉积液为电解液,利用直流稳压电源,进行电化学沉积,最后得到Nd‑Fe‑B三元合金磁性纳米线。本发明所得纳米线数量巨大,沉积率高,纳米线平行排列,高度有序,线径均一,长径比很大。

    Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z型合金薄带磁体的制备方法

    公开(公告)号:CN101620928A

    公开(公告)日:2010-01-06

    申请号:CN200910069267.5

    申请日:2009-06-15

    摘要: 本发明Sm(Co,Cu,Fe,Zr) z 型合金薄带磁体的制备方法,涉及含稀土金属和磁性过渡金属的硬磁材料的磁体,步骤是:把化学组成式表示为Sm(Co x Cu y Fe u Zr v ) z 的熔体,通过熔体快淬炉或真空熔炼快淬连续炉在以5~40m/s的圆周速度旋转的冷却钼辊轮或铜辊轮上进行熔体快淬,由此制得Sm(Co,Cu,Fe,Zr) z 型熔体薄带,将该熔体薄带破碎成粉末,然后在大于1T的磁场中压制成块体,再在冷等静压机中致密化,最后进行热处理,本发明方法提供了三种热处理工艺,由此得到具有不同特性的实用的块状的Sm(Co,Cu,Fe,Zr) z 型合金薄带磁体。

    Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体的制备方法

    公开(公告)号:CN102403117B

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201110301649.3

    申请日:2011-10-09

    摘要: 本发明Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体的制备方法,涉及含稀土金属和磁性过渡金属的硬磁材料的磁体,所说的Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体的元素组成式为SmxCoyFezZruBvQw,式中限定元素组成范围的符号以原子百分比计满足:x+y+z+u+v+w=100,x=9.0~14.0,y=45.0~70.5,z=2.8~18.4,u=1.1~7.0,v=3.8~19.0,w=1.0~21.2,Q是由Nb、Al、Si、Cu和C中的1~4种元素组成,采用离心快淬甩带技术制备,由此制得的Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体具有高的室温内禀矫顽力、高耐腐蚀性和高强度的优点。