Invention Grant
- Patent Title: 具有嵌入闪存存储器的动态随机存储器元件及其制作方法
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Application No.: CN201710201701.5Application Date: 2017-03-30
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Publication No.: CN108666312BPublication Date: 2021-05-04
- Inventor: 永井享浩
- Applicant: 联华电子股份有限公司 , 福建省晋华集成电路有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹市;
- Assignee: 联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
- Current Assignee: 联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹市;
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 陈小雯
- Main IPC: H01L27/108
- IPC: H01L27/108 ; H01L21/8242
Abstract:
本发明公开一种具有嵌入闪存存储器的动态随机存储器元件及其制作方法，包含有一半导体基底，具有一DRAM阵列区及一周边区，其中周边区包含一嵌入闪存存储器形成区及一第一晶体管形成区。多个DRAM存储单元，设于DRAM阵列区内。一闪存存储器，设于嵌入闪存存储器形成区内，其中闪存存储器包含一ONO存储结构及一闪存存储器栅极结构。一第一晶体管，设于第一晶体管形成区内。
Public/Granted literature
- CN108666312A 具有嵌入闪存存储器的动态随机存储器元件及其制作方法 Public/Granted day:2018-10-16
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IPC分类:
