公开(公告)号：CN110085574B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201810076676.7

申请日：2018-01-26

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

Inventor： 永井享浩

IPC: H01L23/64

Abstract: 本发明公开一种用于动态随机存取存储器的电阻器，包含一基底，其上界定有存储单元区与周边区、以及一电阻器位于该基底的浅沟槽隔离结构上，该电阻器具有一绕线部位以及位于该绕线部位两端的端点部位，该端点部位分别经由接触结构与一上层金属层电连接，其中该端点部位由下而上包含一多晶硅层以及多个金属层。

公开(公告)号：CN108538839A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201710116628.1

申请日：2017-03-01

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

Inventor： 永井享浩

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明公开一种半导体结构、用于存储器元件的半导体结构及其制作方法，该用于存储器元件的半导体结构包含有一定义有一存储单元区与一周边电路区的基底、至少一形成于该周边电路区内的主动区域、一设置于该周边电路区内的该主动区域内的埋藏式字符线结构、一设置于该埋藏式字符线结构上的信号线结构、至少一设置于该存储单元区内的位线接触插塞、以及一设置于该埋藏式字符线结构与该信号线结构之间的绝缘层。此外，绝缘层电性隔离该埋藏式字符线结构与该信号线结构。

公开(公告)号：CN108242251A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201611204889.0

申请日：2016-12-23

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

Inventor： 永井享浩

IPC: G11C29/00

CPC classification number: G11C29/787 ,  G11C11/408 ,  G11C11/4087 ,  G11C11/4096 ,  G11C29/789 ,  G11C29/816

Abstract: 动态随机存取存储器，具有主存储器胞阵列以及冗余元件单元。冗余元件单元包含多个熔丝与锁存区域。多个熔丝被规划成有第一熔丝部分与第二熔丝部分，其中所述第一熔丝部分用以存储所述主存储器胞阵列中之故障存储器胞的地址信息以及所述第二熔丝部分当作多个电容器。锁存区域包含多个锁存器，用以存储在所述第一熔丝部分中所存储的所述故障存储器胞的所述地址信息，其中所述第二熔丝部分的所述多个电容器分别耦接到所述多个锁存器，以提供电容值给每一个所述锁存器的输出/输入(I/O)端点。

公开(公告)号：CN108666313B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201710201850.1

申请日：2017-03-30

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

Inventor： 永井享浩

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明公开一种改善动态随机存储器中行锤现象的半导体结构及其制作方法。该半导体结构包含有一半导体基底，具有一第一导电型及一第一掺杂浓度；一主动区域，位于该半导体基底上，其中该主动区域的一长轴沿着一第一方向延伸；一沟槽绝缘结构，邻接该主动区域的一端面；一通过栅极，埋设于该沟槽绝缘结构内，其中该通过栅极沿着一第二方向延伸，且该第二方向不平行于该第一方向；以及一区域掺杂区，具有一第二导电型及一第二掺杂浓度，设于该主动区域的该端面上。

公开(公告)号：CN108630612B

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201710180530.2

申请日：2017-03-24

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

Inventor： 永井享浩 ,  戎乐天

IPC: H01L21/8244

Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法为，首先提供一基底，该基底上具有一存储单元区以及一周边区，然后形成一第一半导体层、一第二半导体层、一第三半导体层以及一第四半导体层于基底上，形成一栅流体于存储单元区，去除周边区的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层以及第四半导体层，之后再形成一金属氧化物半导体晶体管于周边区。

公开(公告)号：CN110707086B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201811172248.0

申请日：2018-10-09

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

Inventor： 永井享浩

IPC: H01L27/108

Abstract: 本发明公开一种半导体元件，其主要包含一浅沟隔离设于一基底内以及一第一栅极结构设于该浅沟隔离上，其中第一栅极结构又包含一第一水平部设于该浅沟隔离上、一垂直部连接该第一水平部并延伸至部分该浅沟隔离内以及一第二水平部连接该垂直部。此外半导体元件又包含一第一间隙壁设于第一栅极结构一侧壁以及浅沟隔离上，以及一第二间隙壁设于第一栅极结构另一侧壁及第二水平部上。

公开(公告)号：CN108666312B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201710201701.5

申请日：2017-03-30

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

Inventor： 永井享浩

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明公开一种具有嵌入闪存存储器的动态随机存储器元件及其制作方法，包含有一半导体基底，具有一DRAM阵列区及一周边区，其中周边区包含一嵌入闪存存储器形成区及一第一晶体管形成区。多个DRAM存储单元，设于DRAM阵列区内。一闪存存储器，设于嵌入闪存存储器形成区内，其中闪存存储器包含一ONO存储结构及一闪存存储器栅极结构。一第一晶体管，设于第一晶体管形成区内。

公开(公告)号：CN110390119A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201810361216.9

申请日：2018-04-20

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

Inventor： 永井享浩

IPC: G06F17/50 ,  G11C7/06

Abstract: 本发明公开一种感测放大器的布局图，其包含一等化器和预充电器区，在等化器和预充电器区内设置有一等化器晶体管和一预充电器晶体管以及一栅极线。栅极线和预充电器晶体管共用一共用插塞分别作为栅极线的栅极插塞以及预充电器晶体管的源极/漏极插塞。

公开(公告)号：CN110277369A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201810210023.3

申请日：2018-03-14

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

Inventor： 永井享浩

IPC: H01L23/525

Abstract: 本发明公开一种动态随机存取存储器元件的熔丝结构，其主要包含：一浅沟隔离设于基底内、一第一选择栅极设于基底内并设于浅沟隔离的一侧、一第二选择栅极设于该基底内并设于该浅沟隔离的另一侧以及一栅极结构设于浅沟隔离、第一选择栅极以及第二选择栅极上。

公开(公告)号：CN107863334B

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201610835557.6

申请日：2016-09-21

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

Inventor： 永井享浩

IPC: H01L23/525

Abstract: 本发明公开一种电熔丝结构，其主要包含一基底以及一堆叠型电容设于基底上。其中堆叠型电容包含：两个或两个以上的下电极设于基底上；一电容介电层设于该多个下电极上；以及一上电极设于电容介电层上。