本发明公开一种改善动态随机存储器中行锤现象的半导体结构及其制作方法。该半导体结构包含有一半导体基底，具有一第一导电型及一第一掺杂浓度；一主动区域，位于该半导体基底上，其中该主动区域的一长轴沿着一第一方向延伸；一沟槽绝缘结构，邻接该主动区域的一端面；一通过栅极，埋设于该沟槽绝缘结构内，其中该通过栅极沿着一第二方向延伸，且该第二方向不平行于该第一方向；以及一区域掺杂区，具有一第二导电型及一第二掺杂浓度，设于该主动区域的该端面上。