Invention Publication
- Patent Title: 片状C2ZnSnS4薄膜的制备方法
- Patent Title (English): Preparation method of C2ZnSnS4 sheet-shaped films
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Application No.: CN201810554306.XApplication Date: 2018-06-01
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Publication No.: CN108689611APublication Date: 2018-10-23
- Inventor: 曹萌 , 别佳瑛 , 尚艺 , 靖佳贺 , 吴创生 , 尧科峰 , 沈悦 , 王林军
- Applicant: 上海大学
- Applicant Address: 上海市宝山区上大路99号
- Assignee: 上海大学
- Current Assignee: 上海大学
- Current Assignee Address: 上海市宝山区上大路99号
- Agency: 上海上大专利事务所
- Agent 顾勇华
- Main IPC: C03C17/34
- IPC: C03C17/34
![片状C2ZnSnS4薄膜的制备方法](/CN/2018/1/110/images/201810554306.jpg)
Abstract:
本发明涉及一种片状C2ZnSnS4薄膜的制备方法,该方法是将1‑4mmol二水合氯化亚锡、1.5‑8mmol硫代乙酰胺加入到200ml去离子水的瓶子中,调节溶液pH=0.2‑1.0,将洗干净FTO垂直紧靠杯壁放入溶液中,将溶液放入到恒温磁力搅拌器中,在80‑90℃反应0.5‑2小时,将FTO取出,得到SnS纳米片薄膜,洗净、烘干;之后将0.8‑1.2mmol五水合硫酸铜、0.025‑0.04mmol氯化锌、4‑6mmol硫脲和生长好的SnS和15ml去离子水放入到反应釜中,在180℃反应10‑12h,反应物冷却,洗净、烘干;通过氮气退火得到Cu2ZnSnS4片状薄膜。本发明制备方法绿色环保且操作简单,所用前躯体材料成本低廉,制备的薄膜呈片状颗粒,且分布均匀,有利于提高其光电特性。
Public/Granted literature
- CN108689611B 片状Cu2ZnSnS4薄膜的制备方法 Public/Granted day:2021-07-06
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