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公开(公告)号：CN110643937A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201911003731.0
申请日：2019-10-22
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种掺Al的AlN靶材、AlN-CdZnTe复合结构组件及其制备方法，采用掺Al的AlN靶材，调控和优化进行溅射AlN工艺条件，制备AlN薄膜和CdZnTe厚膜，本发明方法首先制备掺Al的AlN靶材，以便用于之后AlN薄膜的溅射；然后是在AlN陶瓷衬底上溅射AlN膜，使其能和衬底形成AlN复合衬底来上快速生长大面积、高质量的CdZnTe厚膜。本发明可以制备出晶格缺陷较少的高质量的CdZnTe厚膜，以便于其在红外探测器、X射线与γ射线探测器、太阳能电池以及光电调制器等领域的应用。
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公开(公告)号：CN107170853B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201710318230.6
申请日：2017-05-08
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，其步骤为：(1)将商用CdZnTe多晶体研磨成粉末作为升华源；(2)镀有氮化镓(GaN)的单晶硅片作为衬底，再用氮气吹干，放入近空间升华反应室内；(3)将升华室内气压抽至5pa以下；开卤素灯将升华源和衬底加热到600℃、550℃；生长20min，冷却至室温，取出，即得到GaN/CdZnTe薄膜；(4)用蒸镀法向上述GaN/CdZnTe薄膜表面蒸镀金属电极，再将金属电极放在N2氛围下退火，使GaN/CdZnTe与金属电极之间形成更好的欧姆接触，即制得复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器。该方法使用的GaN衬底可以保证复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器在高温、强辐射环境下的使用，对紫外光也具有有良好的稳定性和光响应特性。
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公开(公告)号：CN105253910A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510589741.2
申请日：2015-09-17
Applicant: 上海大学
IPC: C01G19/00
CPC classification number: C01G19/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03
Abstract: 本发明公开了一种低成本、高质量的一步合成大尺寸SnS纳米片的制备方法，该方法是通过：依次将磁力搅拌子；一定量的反应物前驱体氯化亚锡、硫粉；油胺；加入到四颈烧瓶并固定在恒温磁力搅拌器上，装好装置打开转子搅拌并通入Ar气，气流可稍大。升温到70℃时等30分钟后将温度升为180℃，同时减小Ar气流，30分钟后再升温至300℃，最后降温至50℃，关闭加热和磁力搅拌，取出样品用甲苯和无水乙醇作为清洗剂清洗数次后收集下层沉淀物，即大尺寸SnS纳米片。本发明的优点在于：制备方法简单，成本较低，前驱体材料储量丰富，适合批量合成。纳米片的直径较大形貌较好，大量减少载流子在晶界区域的复合，为制备厚度均匀太阳电池器件的吸收层提供一定的帮助。
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公开(公告)号：CN102623567A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210099621.0
申请日：2012-04-09
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种Cu2FeSnS4纳米晶薄膜的低温制备方法，该方法分五步：首先得到SnS薄膜；其次，在SnS薄膜上制得FeS薄膜；第三，将第二步所得样品在空气中400ºC退火3小时；第四，将第三步退火得到的样品在一定摩尔浓度的硫酸铜水溶液中浸泡一定的时间；第五，将第四步得到的样品在H2S(5%)/Ar的混合气体中，500ºC退火2小时，最终得到高质量的Cu2FeSnS4纳米晶薄膜。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶薄膜均匀致密。该发明制备的Cu2FeSnS4纳米晶薄膜可作为光伏器件的吸收层或者良好的热电材料。同时Cu2FeSnS4纳米晶也是一种纳米级反铁磁材料，能够广泛用于电工设备和电子设备中，有较好的经济价值。
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公开(公告)号：CN102275980A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110157583.5
申请日：2011-06-14
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种低成本、高质量的Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的低温制备方法，该方法是：首先将一定量的硫酸铜、氯化锌或氯化镉、氯化亚锡和硫代乙酰胺加入盛有去离子水的烧杯中，然后将用酒精、丙酮、去离子水超声清洗干净的玻璃垂直悬于烧杯中；向烧杯中滴加稀盐酸溶液调节pH值，使溶液处于酸性条件；升高温度在一定搅拌速度下反应一定时间，反应完毕后，将生长有Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的玻璃在Ar和H2S(5%)的气氛中进行退火处理，最终得到高质量的Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶薄膜均匀致密。该发明制备的Cu2ZnSnS4和Cu2CdSnS4纳米晶薄膜可作为光伏器件的吸收层或者良好的热电材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101872794A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010215793.0
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/04 , H01L31/0392 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种介孔ZnO组装半导体量子点/非晶硅多带隙叠层太阳能电池，包括：一位于顶部吸收偏向短波的高能太阳光的多带隙非晶硅太阳能电池；以及一位于底部吸收偏向长波的低能太阳光的组装半导体量子点的介孔ZnO太阳能电池；其中多带隙非晶硅太阳能电池和组装半导体量子点的介孔ZnO太阳能电池通过一透明导电薄膜连接形成叠层结构。本发明的特征在于顶部的太阳能电池与底部的太阳能电池具有不同的光谱相应范围，可以最大程度的提高太阳能的利用，从而提高电池的光电转换效率。另外该叠层太阳能电池具有制作工艺简单、价格低、有利于大规模生产等特点。
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公开(公告)号：CN101752104A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910196573.5
申请日：2009-09-27
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种用四氨基酞菁锰敏化的TiO2纳米晶薄膜的太阳能电池的制备方法，属染料敏化太阳能电池技术领域。本发明合成了一种新型染料四氨基酞菁锰，其合成步骤是由苯酐法制备四硝基酞菁锰，然后通过Na2S·9H2O还原得到四氨基酞菁锰。本发明中太阳能电池的制备过程如下：将制备好的TiO2薄膜电极浸渍于上述的四氨基酞菁锰的二甲基甲酰胺溶液中一定时间后取出，并用乙醇洗涤、干燥后，即得吸附有染料的TiO2薄膜光电极；然后用镀有金属Pt的渗氟SnO2导电玻璃作为对电极，用热封高分子膜进行封装并注入电解质I2/KI/乙腈溶液，形成夹心结构，最终即制得染料敏化TiO2薄膜电极的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN101215467B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810032389.2
申请日：2008-01-08
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/02
Abstract: 本发明涉及一种硅烷包裹II-VI族半导体量子点的方法。该方法包括II-IV族半导体量子点的制备、无机包裹以及硅烷包裹。II-IV族半导体量子点的硅烷包裹的具有步骤为：将壬基酚聚氧乙烯醚溶于环己烷中形成稳定的反相胶束溶液，再将经过无机包裹的II-IV族半导体量子点的氯仿溶液，加入到步骤a的反相胶束溶液中，然后加入γ-巯丙基三甲氧基硅烷；调节pH值范围为8.0-10.0，加入正硅酸乙脂，然后进行功能化，最后得到经功能化的硅烷包裹的II-IV族半导体量子点；本发明方法通过控制量子点硅烷层的厚度来增加量子点在缓冲液中的稳定性，很好的保持其荧光特性，减少量子点的光漂白及其光猝灭效应，还可以通过选用不同的功能化基团来实现量子点的表面功能化修饰，提供量子点水溶后的生物应用基础，通过硅烷处理后的量子点可以使其成为生物荧光标记领域应用的首选。
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公开(公告)号：CN100536186C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200810034121.2
申请日：2008-02-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种以H2Te气体为碲源的II-VI族半导体CdTe量子点的制备方法。该方法具体包括前躯体溶液的制备、量子点的制备等步骤。本发明以H2Te气体为碲源，通过通入H2Te气体，减少了前驱体溶液的杂质成分，所制备的II-VI族半导体CdTe量子点，粒子分布从2.0～6.5nm，分散均匀，荧光产率高。同时，操作简单，成本低，毒性小，可以直接用于生物荧光标识、临床诊断等。
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公开(公告)号：CN100465115C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200310122761.6
申请日：2003-12-23
Applicant: 上海大学
CPC classification number: C03C10/0045 , C03C8/02 , C03C10/0036 , C03C17/02
Abstract: 本发明涉及一种磁记录存储器介质用的玻璃基片材料及其制造方法，特别是一种双层结构的磁记录存储器介质用纳米相微晶玻璃基片材料及制备方法。本发明的一种磁记录存储器介质用纳米相微晶玻璃基片材料，由基体及其表面涂层构成，其特征在于基体为微晶玻璃；涂层为玻璃釉料，其厚度为60μm-100μm。本发明的微晶玻璃基片材料的制备方法包括三个步骤：玻璃釉料的制备、微晶玻璃基体材料的制备，将玻璃釉料涂覆于基体上形成双层结构的微晶玻璃基片材料。玻璃釉料的涂覆于微晶玻璃表面，舍去了网纹加工成膜工艺，有利于网纹加工；又因压应力提高了整体基板的机械强度；因表面的涂层少含或基本不含若干轻元素，大大提高防污染记忆膜的能力；由于涂层硬度较低，故易研磨。在进行表面处理抛光后，其表面粗糙度一般可达3左右。
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