公开(公告)号：CN118407116A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410580577.8

申请日：2024-05-11

Applicant: 上海大学 ,  上海大学(浙江)高端装备基础件材料研究院

Inventor： 徐杭安 ,  徐闰 ,  牛强国 ,  钟成前 ,  夏安 ,  王林军 ,  董瀚

IPC: C30B13/28 ,  C30B13/04 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明公开一种使用区熔法生长高纯铁单晶的方法，属于晶体材料制造技术领域。所述高纯铁单晶的方法包括将铁棒料放置于垂直区熔炉内并夹持；控制线圈的电流，使铁棒料形成熔体进行区熔提纯，将杂质主要集中于铁棒两端；控制线圈电流，对纯度较高的铁棒料部分加热形成熔体；保持下轴不动，控制上轴上拉形成细颈；然后控制上轴和下轴同步运动，进行铁单晶生长；生长完毕后保持线圈电流静置，随后将线圈电流减小至40A，关闭感应电源，冷却后取出铁单晶棒。本发明通过垂直浮区区熔法提高铁的纯度，提高成晶率；另外，通过对线圈电流、上轴和下轴的运行方式的调控，实现对高纯铁单晶生长的精确控制，克服铁单晶生长过程中晶体方向性易出现偏差的缺点。

公开(公告)号：CN117286461A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311263336.2

申请日：2023-09-27

Applicant: 上海大学

Inventor： 张磊 ,  黄浩斐 ,  钱智超 ,  张巍 ,  王露露 ,  陈雯昕 ,  龚恒玥 ,  唐可 ,  王林军 ,  黄健

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L33/26

Abstract: 本发明涉及一种基于镓缓冲层的氧化镓薄膜及其制备方法与应用，制备方法采用电子束蒸发法，在衬底上制备镓金属层，于空气氛围下对其进行氧化退火得到镓缓冲层，最后采用磁控溅射法在镓缓冲层表面制备得到高性能的氧化镓薄膜。与现有技术相比，本发明具有操作简单、成本较低、效果显著等优点，本发明得到的氧化镓薄膜，能够更好地应用在紫外探测、发光器件、太阳能电池等领域。

公开(公告)号：CN113061971B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202110214026.6

申请日：2021-02-25

Applicant: 上海大学

Inventor： 徐闰 ,  王文贞 ,  景圣淇 ,  戚焕震 ,  曹港 ,  徐飞 ,  黄健 ,  赖建明 ,  李冬梅 ,  王林军

IPC: H01L31/00 ,  C30B7/14 ,  C30B29/54 ,  C30B7/04

Abstract: 本发明公开了一种温差定位诱导钙钛矿单晶的可控生长方法，基于溶液法，利用有机‑无机杂化钙钛矿在特定溶剂中的溶解度随着温度的上升有着明显下降的特点，在析晶点附近，人为制造温差，可控诱导成核，达到晶体的可控生长。由于聚四氟乙烯易加工、耐高温、耐腐蚀、导热系数低、传热慢，金属传热快，在金属与聚四氟乙烯交界处附近形成一定温差，且该范围区域的温度高于其他位置，使该区域溶解度降低，相对低于其他位置，以诱导在该区域成核。这种方法制备相比于常规逆温生长方法能实现可控成核，可控生长；原料利用率高；生长出来的晶体质量高，形状规则，受到应力小，该制备方法制备出来的单晶可制作出优异性能的光电探测器以及高能粒子探测器。

公开(公告)号：CN109143306B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN201810752866.6

申请日：2018-07-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 张雪凡 ,  薛瑶 ,  张继军 ,  师好智 ,  王处泽 ,  王林军 ,  李洪

IPC: G01T1/02

Abstract: 本发明公开了一种基于碲锌镉阵列的核辐射场成像装置，包括碲锌镉探测器、旋转伸缩系统、处理系统，其中：处理系统包括信号处理模块、核辐射剂量模块、机械控制模块、成像系统；机械控制模块对所述旋转伸缩系统进行控制，使得旋转伸缩系统进行一定角度旋转并能在一定距离内伸缩探测器；碲锌镉探测器安装于所述旋转伸缩系统上，用于探测核辐射射线并将其转换为电荷信号；处理系统安装于所述旋转系统上，对探测器的输出信号进行处理，并最终绘制出辐射场的核辐射强度分布图。本发明通过旋转伸缩碲锌镉探测器的方法，检测辐射场中不同方向和位置的辐射剂量值。根据核辐射剂量值与方向、位置的关系，可在所述成像系统显示辐射场辐射分布图。

公开(公告)号：CN112103354A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010872254.8

申请日：2020-08-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  尚艺 ,  陈卓睿 ,  别佳瑛 ,  黄浩斐 ,  唐可 ,  王林军

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种透明Ga2O3的p‑i‑n异质结构日盲型紫外光探测器及其制备方法，制备了Ga2O3薄膜，对日盲紫外光探测器的结构进行了设计，本发明探测器的结构采用衬底、p型NiO薄膜、i层Ga2O3薄膜、n型硼、镓共掺的氧化锌(BGZO)薄膜和Au电极五部分进行层叠组装而成。本发明相对于商业上使用的光电倍增管结构简单，性能优异，并且安全无毒，适用于大规模日盲紫外光探测器中。同时，p‑i‑n型结构的设计扩展了耗尽区的宽度，增大了光电转换的有效工作区域，提高了器件的响应速度。

公开(公告)号：CN110643937A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201911003731.0

申请日：2019-10-22

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  顾建文 ,  陈日志 ,  孙佳豪 ,  顾峰 ,  黄健 ,  王林军

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种掺Al的AlN靶材、AlN-CdZnTe复合结构组件及其制备方法，采用掺Al的AlN靶材，调控和优化进行溅射AlN工艺条件，制备AlN薄膜和CdZnTe厚膜，本发明方法首先制备掺Al的AlN靶材，以便用于之后AlN薄膜的溅射；然后是在AlN陶瓷衬底上溅射AlN膜，使其能和衬底形成AlN复合衬底来上快速生长大面积、高质量的CdZnTe厚膜。本发明可以制备出晶格缺陷较少的高质量的CdZnTe厚膜，以便于其在红外探测器、X射线与γ射线探测器、太阳能电池以及光电调制器等领域的应用。

公开(公告)号：CN107170853B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201710318230.6

申请日：2017-05-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  张宗坤 ,  徐宇豪 ,  沈意斌 ,  黄健 ,  顾峰 ,  王林军

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，其步骤为：(1)将商用CdZnTe多晶体研磨成粉末作为升华源；(2)镀有氮化镓(GaN)的单晶硅片作为衬底，再用氮气吹干，放入近空间升华反应室内；(3)将升华室内气压抽至5pa以下；开卤素灯将升华源和衬底加热到600℃、550℃；生长20min，冷却至室温，取出，即得到GaN/CdZnTe薄膜；(4)用蒸镀法向上述GaN/CdZnTe薄膜表面蒸镀金属电极，再将金属电极放在N2氛围下退火，使GaN/CdZnTe与金属电极之间形成更好的欧姆接触，即制得复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器。该方法使用的GaN衬底可以保证复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器在高温、强辐射环境下的使用，对紫外光也具有有良好的稳定性和光响应特性。

公开(公告)号：CN106876516B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201710079697.X

申请日：2017-02-15

Applicant: 上海大学

Inventor： 唐可 ,  王宇彤 ,  黄健 ,  陆元曦 ,  胡尘 ,  邹天宇 ,  张佳迪 ,  王林军

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18 ,  G01T3/06

Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法，在Si衬底上采用射频磁控溅射法制备一层高质量的ZnO薄膜，在此基础上采用光刻工艺制备ZnO薄膜晶体管紫外光探测器，再在其上采用磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而制备了硼镓共掺ZnO闪烁体薄膜‑ZnO薄膜晶体管紫外光探测器‑Si衬底结构的中子探测器。本发明采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜晶体管紫外光探测器对紫外光进行探测，从而实现对中子的探测，检测精度高，可靠性高。

公开(公告)号：CN105158791B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201510365453.9

申请日：2015-06-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  张磊 ,  杨瑾 ,  陈梦斐 ,  张淑玮 ,  任兵 ,  王宇彤 ,  胡艳 ,  王林军

IPC: G01T3/06

Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法，首先制备ZnO薄膜光导型紫外探测器，并在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnO薄膜光导紫外探测器结构的中子探测器提供了方法。本发明中子探测器采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜光导型紫外探测器探测紫外线，从而实现中子探测。

公开(公告)号：CN109143306A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810752866.6

申请日：2018-07-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 张雪凡 ,  薛瑶 ,  张继军 ,  师好智 ,  王处泽 ,  王林军 ,  李洪

IPC: G01T1/02

CPC classification number: G01T1/026

Abstract: 本发明公开了一种基于碲锌镉阵列的核辐射场成像装置，包括碲锌镉探测器、旋转伸缩系统、处理系统，其中：处理系统包括信号处理模块、核辐射剂量模块、机械控制模块、成像系统；机械控制模块对所述旋转伸缩系统进行控制，使得旋转伸缩系统进行一定角度旋转并能在一定距离内伸缩探测器；碲锌镉探测器安装于所述旋转伸缩系统上，用于探测核辐射射线并将其转换为电荷信号；处理系统安装于所述旋转系统上，对探测器的输出信号进行处理，并最终绘制出辐射场的核辐射强度分布图。本发明通过旋转伸缩碲锌镉探测器的方法，检测辐射场中不同方向和位置的辐射剂量值。根据核辐射剂量值与方向、位置的关系，可在所述成像系统显示辐射场辐射分布图。